EVG®320自動化單晶圓清洗系統
用途：自動單晶片清洗系統，可有效去除顆粒
EVG320自動化單晶圓清洗系統可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項還包括兆頻，刷子和稀釋的化學藥品清洗。
特征
多達四個清潔站
全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理
可進行雙面清潔的邊緣處理（可選）
使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔
先進的遠程診斷
防止從背面到正面的交叉污染
完全由軟件控制的清潔過程 自動鍵合系統EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。陜西鍵合機實際價格
EVG?301單晶圓清洗系統，屬于研發型單晶圓清洗系統。 技術數據 EVG301半自動化單晶片清洗系統采用一個清洗站，該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預對準功能，是一種多功能的研發型系統，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統可與EVG的晶圓對準和鍵合系統結合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設置不同的工藝。美元價格鍵合機研發可以用嗎我們的服務包括通過安全的連接，電話或電子郵件，對包括現場驗證，進行實時遠程診斷和設備/工藝排除故障。
EVG®301特征
使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器（可選）進行高/效清潔
單面清潔刷（選件）
用于晶圓清洗的稀釋化學品
防止從背面到正面的交叉污染
完全由軟件控制的清潔過程
選件
帶有紅外檢查的預鍵合臺
非SEMI標準基材的工具
技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米
清潔系統
開室，旋轉器和清潔臂
腔室：由PP或PFA制成（可選）
清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）
旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）
超音速噴嘴
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：30-60W
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區域：?4.0mm
材質：聚四氟乙烯
EVG501晶圓鍵合機，先進封裝，TSV，微流控加工。基本功能：用于學術和工業研究的多功能手動晶圓鍵合系統。適用于：微流體芯片，半導體器件處理，MEMS制造，TSV制作，晶圓先進封裝等。
一、簡介：
EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產)工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉移，這樣可以輕松擴大生產量。
二、特征：
帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨特的壓力和溫度均勻性與EVG的機械和光學對準器兼容靈活的設計和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝(共晶，焊料，TLP，直接鍵合)可選渦輪泵(<1E-5mbar)可升級陽極鍵合開放式腔室設計，便于轉換和維護試生產需求：同類產品中比較低擁有成本開放式腔室設計，便于轉換和維護蕞小占地面積的200mm鍵合系統程序與EVGHVM鍵合系統完全兼容。
三、參數：蕞大鍵合力：20kN，加熱器尺寸：150mm。 晶圓鍵合機（系統）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統 ；擁有EVG?501 鍵合機所有功能。
封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術［1］。實現封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這**加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用很實用的技術。中芯國際鍵合機一級代理
根據鍵合機型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。陜西鍵合機實際價格
EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途：自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。陜西鍵合機實際價格
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