EVG鍵合機加工結果 除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統）還可用于研發，中試或批量生產。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計，可實現從研發到大批量生產的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。高校鍵合機用途
真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質線（1個超音速系統使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術支持 中國臺灣EVG850 TB鍵合機晶圓鍵合機系統 EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統。
Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大。康興華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結構，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結構的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。
陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，***用于微電子工業中，利用熱量和靜電場的結合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數其他鍵合技術不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。
可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）。 除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發，中試和批量生產。
在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當的位置。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應，形成二氧化硅（SiO 2）。產生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG的各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC研發生產應用提供了多種優勢。紅外鍵合機供應商家
EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設計，能夠實現從研發到大批量生產的簡單技術轉換。高校鍵合機用途
針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環境要求苛刻的問題。高低溫循環測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現圖形化、應力匹配度高等優點。高校鍵合機用途
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