EVG?850DB自動解鍵合機系統 全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術數據 在全自動解鍵合機中，經過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統 實時監控和記錄所有相關過程參數 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據特定工藝優化了產量 技術數據 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 高達12英寸的薄膜面積 組態 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統，擴展了現有標準，并擁有更高的生產率，更高的對準和涂敷精度。廣東鍵合機輪廓測量應用
EVG®850TB臨時鍵合機特征：
開放式膠粘劑平臺；
各種載體（硅，玻璃，藍寶石等）；
適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；
提供多種裝載端口選項和組合；
程序控制系統；
實時監控和記錄所有相關過程參數；
完全集成的SECS/GEM接口；
可選的集成在線計量模塊，用于自動反饋回路；
技術數據：
晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長300毫米，可能有超大的托架
不同的基材/載體組合
組態
外套模塊
帶有多個熱板的烘烤模塊
通過光學或機械對準來對準模塊
鍵合模塊：
選件
在線計量
ID閱讀
高形貌的晶圓處理
翹曲的晶圓處理 山西**鍵合機晶圓鍵合機系統 EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統。
EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉移，這樣可以輕松擴大生產量。
引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中，這是因為其成本效率高且易于應用。在蕞佳環境中，每秒蕞多可以創建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。
盡管球形鍵合的蕞佳選擇是純金，但由于銅的相對成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當的位置。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。當銅用于球焊時，氮氣以氣態形式使用，以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 同時，EVG研發生產的的GEMINI系統是使用晶圓鍵合的量產應用的行業標準。
目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。
本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。
在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互 融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層 發生氧化就會影響鍵合質量。 EVG鍵合機軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，可輕松引導操作員完成每個流程步驟。本地鍵合機美元報價
EVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。廣東鍵合機輪廓測量應用
1) 由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。
2) 由高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境，且具有工藝溫度低，容易實現圖 形化，應力匹配度高等優點。
3) 由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進 一步優化，對工藝參數進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 廣東鍵合機輪廓測量應用
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