光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的核心競爭力在于其掩模對準系統（EVG6xx和IQ Aligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中，并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口 ；在EVG的IQ
Aligner NT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層; 金屬墊在結構的中間；用于LIGA結構的高縱橫比結構，用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了高/分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。 EVG光刻機設備，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中，并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。晶圓光刻機試用
EVG ® 6200 NT掩模對準系統（半自動/自動）
特色：EVG ® 6200 NT掩模對準器為光學雙面光刻的多功能工具和晶片尺寸高達200毫米。
技術數據：EVG6200 NT以其自動化靈活性和可靠性而著稱，可在**小的占位面積上提供**/先進的掩模對準技術，并具有**/高的產能，先進的對準功能和優化的總擁有成本。操作員友好型軟件，**短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務和支持使它成為任何制造環境的理想解決方案。EVG6200 NT或完全安裝的EVG6200 NT Gen2掩模對準系統有半自動或自動配置，并配有集成的振動隔離功能，可在廣/泛的應用中實現出色的曝光效果，例如薄和厚光刻膠的曝光，深腔和類似地形的圖案，以及薄而易碎的材料（例如化合物半導體）的加工。此外，半自動和全自動系統配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。 浙江光刻機服務為先EVG在1985年發明了世界上第/一個底部對準系統，對準晶圓鍵合和納米壓印光刻技術方面開創并建立了行業標準。
EVG620 NT特征2：
自動原點功能，用于對準鍵的精確居中
具有實時偏移校正功能的動態對準功能
支持**/新的UV-LED技術
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統
自動化系統上的手動基板裝載功能
可以從半自動版本升級到全自動版本
**小化系統占地面積和設施要求
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）
先進的軟件功能以及研發與全/面生產之間的兼容性
便捷處理和轉換重組
遠程技術支持和SECS / GEM兼容性
EVG620 NT附加功能：
鍵對準
紅外對準
納米壓印光刻（NIL）
EVG ® 610曝光源：
汞光源/紫外線LED光源
楔形補償
全自動軟件控制
晶圓直徑（基板尺寸）
高達100/150/200毫米
曝光設定：
真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式
曝光選項：
間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光
先進的對準功能：
手動對準/原位對準驗證
手動交叉校正
大間隙對準
EVG ® 610光刻機系統控制：
操作系統：Windows
文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數
多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
實時遠程訪問，診斷和故障排除
使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線” EVG通過不斷開發掩模對準器來為這些領域做出巨大的貢獻，以提高**重要的光刻技術的水平。
IQ Aligner® 自動化掩模對準系統
特色：EVG ® IQ定位儀®平臺用于自動非接觸近距離處理而優化的用于晶片尺寸高達200毫米。
技術數據：IQ Aligner是具有高度自動化程度的非接觸式接近光刻平臺，可滿足將生產線中的掩模污染降至**/低并增加掩模壽命和產品良率的需求。除了多種對準功能外，該系統還通過專門配置進行了廣/泛的安裝和現場驗證，可自動處理和處理翹曲或變薄的晶圓。標準的頂側或底側對準與集成的IR對準功能之間的混合匹配操作進一步拓寬了應用領域，尤其是在與工程或粘合基板對準時。該系統還通過快速響應的溫度控制工具集支持晶片對準跳動控制。 HERCULES平臺是“一站式服務”平臺。湖南光刻機高性價比選擇
EVG所有光刻設備平臺均為300mm。晶圓光刻機試用
掩模對準系統：EVG的發明，例如1985年世界上較早的擁有底面對準功能的系統，開創了頂面和雙面光刻，對準晶圓鍵合和納米壓印光刻的先例，并設定了行業標準。EVG通過不斷開發掩模對準器產品來增強這些**光刻技術，從而在這些領域做出了貢獻。
EVG的掩模對準系統可容納尺寸**/大，尺寸和形狀以及厚度**/大為300 mm的晶片和基板，旨在為高級應用提供先進的自動化程度和研發靈活性的復雜解決方案。EVG的掩模對準器和工藝能力已經過現場驗證，并已安裝在全球的生產設施中，以支持眾多應用，包括高級封裝，化合物半導體，功率器件，LED，傳感器和MEMS制造。 晶圓光刻機試用
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