EVG101光刻膠處理系統的技術數據：
可用模塊：旋涂/ OmniSpray ® /開發
分配選項：
各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達52000 cP的粘度；
液體底漆/預濕/洗盤；
去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）；
恒壓分配系統/注射器分配系統。
智能過程控制和數據分析功能（框架軟件平臺）
用于過程和機器控制的集成分析功能
并行任務/排隊任務處理功能，提高效率
設備和過程性能跟/蹤功能：智能處理功能；事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤
晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米
EVG在1985年發明了世界上第/一個底部對準系統，可以在頂部和雙面光刻。江西官方授權經銷光刻機
EVG鍵合機掩模對準系列產品，使用**/先進的工程技術。
用戶對接近式對準器的主要需求由幾個關鍵參數決定。亞微米對準精度，掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙，以及對應于抗蝕劑靈敏度的已經明確定義且易于控制的曝光光譜是**重要的標準。此外，整個晶圓表面的高光強度和均勻性是設計和不斷增強EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。創新推動了我們的日常業務的發展和提升我們的理念，使我們能夠跳出思維框架，創造更先進的系統。 掩模對準光刻機售后服務可在眾多應用場景中找到EVG的設備應用，包括高級封裝，化合物半導體，功率器件，LED，傳感器和MEMS。
EVG6200 NT附加功能：
鍵對準
紅外對準
納米壓印光刻（NIL）
EVG6200 NT技術數據：
曝光源
汞光源/紫外線LED光源
先進的對準功能
手動對準/原位對準驗證
自動對準
動態對準/自動邊緣對準
對準偏移校正算法
EVG6200 NT產能：
全自動：第/一批生產量：每小時180片
全自動：吞吐量對準：每小時140片晶圓
晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米
對準方式：
上側對準：≤±0.5 μm
底側對準：≤±1,0 μm
紅外校準：≤±2,0 μm /具體取決于基板材料
鍵對準：≤±2,0 μm
NIL對準：≤±3.0 μm
曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式
楔形補償：全自動軟件控制
曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光
系統控制
操作系統：Windows
文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數
多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
實時遠程訪問，診斷和故障排除
工業自動化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理
納米壓印光刻技術：SmartNIL
HERCULES 光刻軌道系統特征：
生產平臺以**小的占地面積結合了EVG精密對準和光刻膠處理系統的所有優勢；
多功能平臺支持各種形狀，尺寸，高度變形的模具晶片甚至托盤的全自動處理；
高達52,000 cP的涂層可制造高度高達300微米的超厚光刻膠特征；
CoverSpin TM旋轉蓋可降低光刻膠消耗并優化光刻膠涂層的均勻性；
OmniSpray ®涂覆用于高地形表面的優化的涂層；
納流®涂布，并通過結構的保護；
自動面膜處理和存儲；
光學邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒；
使用橋接工具系統對多種尺寸的晶圓進行易碎，薄或翹曲的晶圓處理；
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統；
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）。 整個晶圓表面高光強度和均勻性是設計和不斷提高EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。
EVG ® 105—晶圓烘烤模塊
設計理念：單機EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。
特點：可以在EVG105烘烤模塊上執行軟烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環境可確保均勻蒸發。可編程的接近銷可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300 mm的晶圓尺寸或4個100 mm的晶圓。
特征
**烘烤模塊
晶片尺寸**/大為300毫米，或同時**多四個100毫米晶片
溫度均勻性≤±1°C @ 100°C，**/高250°C烘烤溫度
用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷
烘烤定時器
基材真空（直接接觸烘烤）
N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選
不規則形狀的基材
技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米
烤盤：
溫度范圍：≤250°C
手動將升降桿調整到所需的接近間隙
EVG的CoverSpin TM旋轉蓋可降低光刻膠消耗，并提高光刻膠涂層的均勻性。半導體光刻機推薦產品
EVG100光刻膠處理系統可以處理多種尺寸的基板，直徑從2寸到300 mm。江西官方授權經銷光刻機
EVG ® 150光刻膠處理系統技術數據：
模塊數：
工藝模塊：6
烘烤/冷卻模塊：**多20個
工業自動化功能：
Ergo裝載盒式工作站/ SMIF裝載端口/ SECS / GEM / FOUP裝載端口
智能過程控制和數據分析功能（框架軟件平臺）
用于過程和機器控制的集成分析功能
并行任務/排隊任務處理功能
設備和過程性能跟/蹤功能
智能處理功能
事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤
晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米
可用模塊：
旋涂/ OmniSpray ® /開發
烘烤/冷卻
晶圓處理選項：
單/雙EE /邊緣處理/晶圓翻轉
彎曲/翹曲/薄晶圓處理
江西官方授權經銷光刻機
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