對于高價值的晶圓產品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設備內置二維碼追溯系統，每片晶圓進入設備后都會生成單獨的二維碼標識，全程記錄切割時間、操作人員、工藝參數、檢測結果等信息，可通過掃碼快速查詢全流程數據，為質量追溯與問題分析提供完整依據。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統工藝限制，開發出激光倒角技術。可在切割的同時完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在 5-50μm 范圍內，有效減少邊緣應力集中，提高晶圓的機械強度。該技術特別適用于需要多次搬運與清洗的晶圓加工流程。中清航科晶圓切割機支持物聯網運維，故障響應速度提升60%。揚州碳化硅線晶圓切割藍膜

中清航科飛秒激光雙光子聚合技術：在PDMS基板上直寫三維微流道（最小寬度15μm），切割精度達±0.25μm，替代傳統光刻工藝，開發成本降低80%。中清航科推出“切割即服務”（DaaS）：客戶按實際切割面積付費（$0.35/英寸），包含設備/耗材/維護全包。初始投入降低90%，產能彈性伸縮±50%，適配訂單波動。中清航科共聚焦激光測距系統實時監測切割深度（分辨率0.1μm），閉環控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm，背面研磨時間減少40%。

針對小批量多品種的研發型生產需求，中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設計的切割設備可在 30 分鐘內完成不同規格晶圓的換型調整，配合云端工藝數據庫，存儲超過 1000 種標準工藝參數，工程師可快速調用并微調，大幅縮短新產品導入周期，為科研機構與初創企業提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測環節直接關系到后續封裝的質量。中清航科將 AI 視覺檢測技術與切割設備深度融合，通過深度學習算法自動識別切割面的微裂紋、缺口等缺陷，檢測精度達 0.5μm，檢測速度提升至每秒 300 個 Die，實現切割與檢測的一體化流程，避免不良品流入下道工序造成的浪費。

中清航科創新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案：先以激光在晶圓表面形成引導槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率，解決化合物半導體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯動補償系統，通過實時監測晶圓形變動態調整切割參數。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內，支持3D NAND多層堆疊結構加工。MEMS器件晶圓切割中清航科特殊保護層技術，結構完整率99%。

GaN材料硬度高且易產生解理裂紋。中清航科創新水導激光切割（Water Jet Guided Laser），利用高壓水柱約束激光束，冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm，熱影響區只2μm，滿足射頻器件高Q值要求。設備振動導致切割線寬波動。中清航科應用主動磁懸浮阻尼系統，通過6軸加速度傳感器實時生成反向抵消力，將振幅壓制在50nm以內。尤其適用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光學器件晶圓需避免邊緣微裂紋影響透光率。中清航科紫外皮秒激光系統（波長355nm）配合光束整形模塊，實現吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破攝像頭模組良率瓶頸。中清航科晶圓切割代工獲ISO 9001認證，月產能達50萬片。連云港碳化硅晶圓切割劃片

復合材料晶圓切割選中清航科多工藝集成設備，兼容激光與刀片。揚州碳化硅線晶圓切割藍膜

半導體制造對潔凈度要求嚴苛，晶圓切割環節的微塵污染可能導致芯片失效。中清航科的切割設備采用全封閉防塵結構與高效 HEPA 過濾系統，工作區域潔凈度達到 Class 1 標準，同時配備激光誘導等離子體除塵裝置，實時清理切割產生的微米級顆粒，使產品不良率降低至 0.1% 以下。在成本控制成為半導體企業核心競爭力的現在，中清航科通過技術創新實現切割耗材的大幅節約。其自主研發的金剛石切割刀片，使用壽命較行業平均水平延長 50%，且通過刀片磨損實時監測與自動補償技術，減少頻繁更換帶來的停機損失，幫助客戶降低 20% 的耗材成本，在激烈的市場競爭中構筑成本優勢。揚州碳化硅線晶圓切割藍膜