中清航科注重與科研機構的合作創(chuàng)新，與國內(nèi)多所高校共建半導體切割技術聯(lián)合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究，如原子層切割、超高頻激光切割等，已申請發(fā)明專利 50 余項，其中 “一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法” 獲得國家發(fā)明專利金獎，推動行業(yè)技術進步。晶圓切割設備的軟件系統(tǒng)是其智能化的中心，中清航科自主開發(fā)了切割控制軟件，具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入，可自動生成切割路徑，同時提供離線編程功能，可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬，提高設備利用率。采用中清航科激光隱形切割技術，晶圓分片效率提升40%以上。浙江砷化鎵晶圓切割企業(yè)

8 英寸晶圓在功率半導體、MEMS 等領域仍占據(jù)重要市場份額，中清航科針對這類成熟制程開發(fā)的切割設備，兼顧效率與性價比。設備采用雙主軸并行切割設計，每小時可加工 40 片 8 英寸晶圓，且通過優(yōu)化機械結構降低振動噪聲至 65 分貝以下，為車間創(chuàng)造更友好的工作環(huán)境，深受中小半導體企業(yè)的青睞。晶圓切割工藝的數(shù)字化轉型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設備內(nèi)置工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊，可實時采集切割壓力、溫度、速度等 100 余項工藝參數(shù)，通過邊緣計算節(jié)點進行實時分析，生成工藝優(yōu)化建議。客戶可通過云端平臺查看生產(chǎn)報表與趨勢分析，實現(xiàn)基于數(shù)據(jù)的精細化管理。鹽城12英寸半導體晶圓切割劃片廠晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng)，潔凈度達標Class1。

中清航科開放6條全自動切割產(chǎn)線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區(qū)，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數(shù)組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數(shù)包，工藝開發(fā)周期縮短90%。

中清航科為晶圓切割設備提供全生命周期的服務支持，從設備安裝調試、操作人員培訓、工藝優(yōu)化指導到設備升級改造，形成完整的服務鏈條。建立客戶服務檔案，定期進行設備巡檢與性能評估，根據(jù)客戶的生產(chǎn)需求變化提供定制化的升級方案，確保設備始終保持先進的技術水平。隨著半導體技術向更多新興領域滲透，晶圓切割的應用場景不斷拓展。中清航科積極布局新興市場，開發(fā)適用于可穿戴設備芯片、柔性電子、生物芯片等領域的切割設備。例如，針對柔性晶圓的切割，采用低溫冷凍切割技術，解決柔性材料切割時的拉伸變形問題，為新興半導體應用提供可靠的制造保障。中清航科定制刀輪應對超薄晶圓切割，碎片率降至0.1%以下。

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設備采用漸進式壓力控制技術，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經(jīng)背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定，延長刀片壽命200小時以上呢。中清航科切割實驗室開放合作，已助力30家企業(yè)工藝升級。浙江砷化鎵晶圓切割企業(yè)

中清航科晶圓切割代工廠通過ISO14644潔凈認證，量產(chǎn)經(jīng)驗足。浙江砷化鎵晶圓切割企業(yè)

中清航科ESG解決方案：設備內(nèi)置能源管理模塊，智能調節(jié)激光功率與主軸轉速，單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺每8小時生成減排報告，助力客戶達成碳中和目標，已獲全球25家代工廠采購認證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發(fā)脈沖電流輔助切割，在刀片-晶圓界面施加微電流（<10mA），瞬時加熱至150℃軟化金層，剝離風險下降90%，剪切強度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng)：通過LIBS（激光誘導擊穿光譜）在線分析顆粒元素構成，自動推薦冷卻液配方調整方案。幫助客戶減少因金屬污染導致的芯片失效，良率提升1.2%。浙江砷化鎵晶圓切割企業(yè)