先進芯片封裝技術-2.5D/3D封裝：2.5D封裝技術可將多種類型芯片放入單個封裝，通過硅中介層實現信號橫向傳送，提升封裝尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布線層（RDL）、微型凸塊等主要技術。3D封裝則是在垂直方向疊放兩個以上芯片，直接在芯片上打孔和布線連接上下層芯片堆疊，集成度更高。中清航科在2.5D/3D封裝技術方面持續(xù)創(chuàng)新，已成功應用于高性能計算、人工智能等領域，幫助客戶實現芯片性能的跨越式提升。有相關需求歡迎隨時聯系。中清航科芯片封裝技術，支持系統(tǒng)級封裝，實現芯片與被動元件一體化。浙江江蘇半導體封裝公司

針對車規(guī)級芯片AEC-Q100認證痛點，中清航科建成零缺陷封裝產線。通過銅柱凸點替代錫球焊接，結合環(huán)氧模塑料（EMC）三重防護層，使QFN封裝產品在-40℃~150℃溫度循環(huán)中通過3000次測試。目前已有17家Tier1供應商采用其AEC-QGrade1封裝解決方案。中清航科多芯片重構晶圓（ReconstitutedWafer）技術，將不同尺寸芯片集成于300mm載板。通過動態(tài)貼裝算法優(yōu)化芯片排布，材料利用率提升至92%，較傳統(tǒng)WLCSP降低成本28%。該方案已應用于物聯網傳感器批量生產，單月產能達500萬顆。sot89封裝中清航科芯片封裝工藝，通過低溫鍵合技術，保護芯片內部敏感元件。

中清航科部署封裝數字孿生系統(tǒng)，通過AI視覺檢測實現微米級缺陷捕捉。在BGA植球工藝中，球徑一致性控制±3μm，位置精度±5μm。智能校準系統(tǒng)使設備換線時間縮短至15分鐘，產能利用率提升至90%。針對HBM內存堆疊需求，中清航科開發(fā)超薄芯片處理工藝。通過臨時鍵合/解鍵合技術實現50μm超薄DRAM晶圓加工，4層堆疊厚度400μm。其TSV深寬比達10:1，阻抗控制在30mΩ以下，滿足GDDR6X1TB/s帶寬要求。中清航科可拉伸封裝技術攻克可穿戴設備難題。采用蛇形銅導線與彈性體基底結合，使LED陣列在100%拉伸形變下保持導電功能。醫(yī)療級生物相容材料通過ISO10993認證，已用于動態(tài)心電圖貼片量產。

芯片封裝的發(fā)展歷程：自20世紀80年代起，芯片封裝技術歷經多代變革。從早期的引腳插入式封裝，如DIP（雙列直插式封裝），發(fā)展到表面貼片封裝，像QFP（塑料方形扁平封裝）、PGA（針柵陣列封裝）等。而后，BGA（球柵陣列封裝）、MCP（多芯片模塊）、SIP（系統(tǒng)級封裝）等先進封裝形式不斷涌現。中清航科緊跟芯片封裝技術發(fā)展潮流，不斷升級自身技術工藝，在各個發(fā)展階段都積累了豐富經驗，能為客戶提供符合不同時期技術標準和市場需求的封裝服務。微型芯片封裝難度大，中清航科微縮技術，實現小體積承載強性能。

中清航科超細間距倒裝焊工藝突破10μm極限。采用激光輔助自對準技術，使30μm微凸點對位精度達±1μm。在CIS圖像傳感器封裝中，該技術消除微透鏡偏移問題，提升低光照下15%成像質量。中清航科開發(fā)出超薄中心less基板，厚度100μm。通過半加成法（mSAP）實現2μm線寬/間距，傳輸損耗低于0.3dB/mm@56GHz。其5G毫米波AiP天線封裝方案已通過CTIAOTA認證，輻射效率達72%。為響應歐盟RoHS2.0標準，中清航科推出無鉛高可靠性封裝方案。采用Sn-Bi-Ag合金凸點，熔點138℃且抗跌落性能提升3倍。其綠色電鍍工藝使廢水重金屬含量降低99%，獲三星Eco-Partner認證。中清航科聚焦芯片封裝，用綠色工藝，降低生產過程中的能耗與排放。浙江江蘇半導體封裝公司

中清航科芯片封裝團隊，攻克精密焊接難題，保障芯片內部連接穩(wěn)定。浙江江蘇半導體封裝公司

中清航科MIL-STD-883認證產線實現金錫共晶焊接工藝。在宇航級FPGA封裝中，氣密封裝漏率<5×10??atm·cc/s，耐輻照總劑量達100krad。三防涂層通過96小時鹽霧試驗，服務12個衛(wèi)星型號項目。中清航科推出玻璃基板中介層技術，介電常數低至5.2@10GHz。通過TGV玻璃通孔實現光子芯片與電芯片混合集成，耦合損耗<1dB。該平臺已用于CPO共封裝光學引擎開發(fā)，傳輸功耗降低45%。中清航科建立全維度失效分析實驗室。通過3DX-Ray實時監(jiān)測BGA焊點裂紋，結合聲掃顯微鏡定位分層缺陷。其加速壽命測試模型可精確預測封裝產品在高溫高濕（85℃/85%RH）條件下的10年失效率。浙江江蘇半導體封裝公司