中清航科設備搭載AI參數推薦引擎，通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進給量及冷卻流量。機器學習模型基于10萬+案例庫持續優化，將工藝調試時間從48小時縮短至2小時，快速響應客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大，傳統切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導劈裂技術（LIPS），通過精確控制激光熱影響區引發材料沿晶向解理，切割速度達200mm/s，崩邊<10μm，滿足新能源汽車功率器件嚴苛標準。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機械手聯動精度±5μm，兼容SECS/GEM協議實現MES系統對接。模塊化設計支持產能彈性擴展，單線UPH（每小時產能）提升至120片，人力成本降低70%。中清航科推出切割廢料回收服務，晶圓利用率提升至99.1%。常州12英寸半導體晶圓切割

8英寸晶圓在功率半導體、MEMS等領域仍占據重要市場份額，中清航科針對這類成熟制程開發的切割設備，兼顧效率與性價比。設備采用雙主軸并行切割設計，每小時可加工40片8英寸晶圓，且通過優化機械結構降低振動噪聲至65分貝以下，為車間創造更友好的工作環境，深受中小半導體企業的青睞。晶圓切割工藝的數字化轉型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設備內置工業物聯網模塊，可實時采集切割壓力、溫度、速度等100余項工藝參數，通過邊緣計算節點進行實時分析，生成工藝優化建議。客戶可通過云端平臺查看生產報表與趨勢分析，實現基于數據的精細化管理。無錫碳化硅晶圓切割代工廠8小時連續切割驗證：中清航科設備溫度波動≤±0.5℃。

中清航科兆聲波清洗技術結合納米氣泡噴淋，去除切割道深槽內的微顆粒。流體仿真設計使清洗液均勻覆蓋15:1深寬比結構，殘留物<5ppb，電鏡檢測達標率100%。中清航科推出刀片/激光器租賃服務：通過云平臺監控耗材使用狀態，按實際切割長度計費。客戶CAPEX（資本支出）降低40%，并享受技術升級，實現輕資產運營。中清航科VirtualCut軟件構建切割過程3D物理模型，輸入材料參數即可預測崩邊尺寸、應力分布。虛擬調試功能將新工藝驗證周期從3周壓縮至72小時，加速客戶產品上市。中清航科綠色切割方案：冷卻液循環利用率達95%，激光系統能耗降低30%（對比行業均值）。碳足跡追蹤平臺量化每片晶圓加工排放，助力客戶達成ESG目標，已獲ISO14064認證。

隨著Chiplet技術的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續的異構集成。中清航科開發的納米級定位切割系統，采用氣浮導軌與光柵尺閉環控制，定位精度達到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進行實時校準，確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過0.5μm，為Chiplet的高精度互聯奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規格、材料特性與產能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形Die的切割路徑優化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導體企業完成定制化項目交付。晶圓切割培訓課程中清航科每月開放，已認證工程師超800名。

在晶圓切割的邊緣檢測精度提升上，中清航科創新采用雙攝像頭立體視覺技術。通過兩個高分辨率工業相機從不同角度采集晶圓邊緣圖像，經三維重建算法精確計算邊緣位置，即使晶圓存在微小翹曲，也能確保切割路徑的精確定位，邊緣檢測誤差控制在1μm以內，大幅提升切割良率。為適應半導體工廠的能源管理需求，中清航科的切割設備配備能源監控與分析系統。實時監測設備的電壓、電流、功率等能源參數，生成能耗分析報表，識別能源浪費點并提供優化建議。同時支持峰谷用電策略，可根據工廠電價時段自動調整運行計劃，降低能源支出。晶圓切割MES系統中清航科定制，實時追蹤每片切割工藝參數。宿遷碳化硅半導體晶圓切割劃片廠

5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線偏移量＜0.8μm。常州12英寸半導體晶圓切割

隨著半導體市場需求的快速變化，產品迭代周期不斷縮短，這對晶圓切割的快速響應能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發團隊，承諾在收到客戶新樣品后72小時內完成切割工藝驗證，并提供工藝報告與樣品測試數據，幫助客戶加速新產品研發進程，搶占市場先機。晶圓切割設備的操作安全性至關重要，中清航科嚴格遵循SEMIS2安全標準，在設備設計中融入多重安全保護機制。包括激光安全聯鎖、急停按鈕、防護門檢測、過載保護等，同時配備安全警示系統，實時顯示設備運行狀態與潛在風險，確保操作人員的人身安全與設備的安全運行。常州12英寸半導體晶圓切割