中清航科開放6條全自動切割產線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數組合?？蛻糨斎刖A類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數包，工藝開發周期縮短90%。12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產能瓶頸，良率99.3%。連云港12英寸半導體晶圓切割代工廠

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設備采用漸進式壓力控制技術，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩定，延長刀片壽命200小時以上呢。蘇州sic晶圓切割寬度中清航科切割機遠程診斷系統，故障排除時間縮短70%。

針對小批量多品種的研發型生產需求，中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設計的切割設備可在30分鐘內完成不同規格晶圓的換型調整，配合云端工藝數據庫，存儲超過1000種標準工藝參數，工程師可快速調用并微調，大幅縮短新產品導入周期，為科研機構與初創企業提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測環節直接關系到后續封裝的質量。中清航科將AI視覺檢測技術與切割設備深度融合，通過深度學習算法自動識別切割面的微裂紋、缺口等缺陷，檢測精度達0.5μm，檢測速度提升至每秒300個Die，實現切割與檢測的一體化流程，避免不良品流入下道工序造成的浪費。

針對高粘度晶圓切割液的回收處理，中清航科研發了離心式過濾凈化系統。該系統通過三級過濾工藝，可去除切割液中99.9%的固體顆粒雜質，使切割液循環利用率提升至80%以上，不只降低耗材成本，還減少廢液排放。同時配備濃度自動調節功能，確保切割液性能穩定，保障切割質量一致性。在晶圓切割設備的維護便捷性設計上，中清航科秉持“易維護”理念。設備關鍵部件采用模塊化設計，更換激光頭、切割刀片等中心組件只需15分鐘，較傳統設備縮短70%維護時間。同時配備維護指引系統，通過AR技術直觀展示維護步驟，降低對專業維護人員的依賴，減少客戶運維壓力。中清航科推出切割機租賃服務，降低客戶初期投入成本。

中清航科的晶圓切割設備通過了多項國際認證，包括CE、FCC、UL等，符合全球主要半導體市場的準入標準。設備設計嚴格遵循國際安全規范與電磁兼容性要求，可直接出口至歐美、日韓等地區，為客戶拓展國際市場提供設備保障。在晶圓切割的刀具校準方面，中清航科創新采用激光對刀技術。通過高精度激光束掃描刀具輪廓，自動測量刀具直徑、刃口角度等參數，并與標準值對比，自動計算補償值，整個校準過程只需3分鐘，較傳統機械對刀方式提升效率80%，且校準精度更高。中清航科聯合高校成立切割技術研究院，突破納米級切割瓶頸。衢州sic晶圓切割寬度

采用中清航科激光隱形切割技術，晶圓分片效率提升40%以上。連云港12英寸半導體晶圓切割代工廠

為提升芯片產出量，中清航科通過刀片動態平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導槽設計減少材料浪費，使12英寸晶圓有效芯片數增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點10mm范圍內形成負壓場，配合離子風刀清理殘留顆粒，潔凈度達Class1標準（>0.3μm顆粒<1個/立方英尺）。中清航科設備內置AOI（自動光學檢測）模塊，采用多光譜成像技術實時識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內完成芯片級判定，不良品自動標記，避免后續封裝資源浪費，每年可為客戶節省品質成本超百萬。連云港12英寸半導體晶圓切割代工廠