半導(dǎo)體制造對潔凈度要求嚴(yán)苛，晶圓切割環(huán)節(jié)的微塵污染可能導(dǎo)致芯片失效。中清航科的切割設(shè)備采用全封閉防塵結(jié)構(gòu)與高效HEPA過濾系統(tǒng)，工作區(qū)域潔凈度達(dá)到Class1標(biāo)準(zhǔn)，同時配備激光誘導(dǎo)等離子體除塵裝置，實時清理切割產(chǎn)生的微米級顆粒，使產(chǎn)品不良率降低至0.1%以下。在成本控制成為半導(dǎo)體企業(yè)核心競爭力的現(xiàn)在，中清航科通過技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)切割耗材的大幅節(jié)約。其自主研發(fā)的金剛石切割刀片，使用壽命較行業(yè)平均水平延長50%，且通過刀片磨損實時監(jiān)測與自動補(bǔ)償技術(shù)，減少頻繁更換帶來的停機(jī)損失，幫助客戶降低20%的耗材成本，在激烈的市場競爭中構(gòu)筑成本優(yōu)勢。中清航科切割液回收系統(tǒng)降低耗材成本35%，符合綠色制造。嘉興碳化硅晶圓切割代工廠

高速切割產(chǎn)生的局部高溫易導(dǎo)致材料熱變形。中清航科開發(fā)微通道冷卻刀柄技術(shù)，在刀片內(nèi)部嵌入毛細(xì)管網(wǎng)，通過相變傳熱將溫度控制在±1℃內(nèi)。該方案解決5G毫米波芯片的熱敏樹脂層脫層問題，切割穩(wěn)定性提升90%。針對2.5D/3D封裝中的硅中介層（Interposer）切割，中清航科采用階梯式激光能量控制技術(shù)。通過調(diào)節(jié)脈沖頻率（1-200kHz）與焦點深度，實現(xiàn)TSV（硅通孔）區(qū)域低能量切割與非TSV區(qū)高效切割的協(xié)同，加工效率提升3倍。傳統(tǒng)刀片磨損需停機(jī)檢測。中清航科在切割頭集成光纖傳感器，實時監(jiān)測刀片直徑變化并自動補(bǔ)償Z軸高度。結(jié)合大數(shù)據(jù)預(yù)測模型，刀片利用率提升40%，每年減少停機(jī)損失超200小時。南京sic晶圓切割劃片中清航科提供切割工藝認(rèn)證服務(wù)，助客戶通過車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)。

針對高粘度晶圓切割液的回收處理，中清航科研發(fā)了離心式過濾凈化系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過三級過濾工藝，可去除切割液中99.9%的固體顆粒雜質(zhì)，使切割液循環(huán)利用率提升至80%以上，不只降低耗材成本，還減少廢液排放。同時配備濃度自動調(diào)節(jié)功能，確保切割液性能穩(wěn)定，保障切割質(zhì)量一致性。在晶圓切割設(shè)備的維護(hù)便捷性設(shè)計上，中清航科秉持“易維護(hù)”理念。設(shè)備關(guān)鍵部件采用模塊化設(shè)計，更換激光頭、切割刀片等中心組件只需15分鐘，較傳統(tǒng)設(shè)備縮短70%維護(hù)時間。同時配備維護(hù)指引系統(tǒng)，通過AR技術(shù)直觀展示維護(hù)步驟，降低對專業(yè)維護(hù)人員的依賴，減少客戶運(yùn)維壓力。

在晶圓切割的批量一致性控制方面，中清航科采用統(tǒng)計過程控制（SPC）技術(shù)。設(shè)備實時采集每片晶圓的切割尺寸數(shù)據(jù)，通過SPC軟件進(jìn)行分析，繪制控制圖，及時發(fā)現(xiàn)過程中的異常波動，并自動調(diào)整相關(guān)參數(shù)，使切割尺寸的標(biāo)準(zhǔn)差控制在1μm以內(nèi)，確保批量產(chǎn)品的一致性。針對薄晶圓切割后的搬運(yùn)難題，中清航科開發(fā)了無損搬運(yùn)系統(tǒng)。采用特制的真空吸盤與輕柔的取放機(jī)構(gòu)，配合視覺引導(dǎo)，實現(xiàn)薄晶圓的平穩(wěn)搬運(yùn)，避免搬運(yùn)過程中的彎曲與破損。該系統(tǒng)可集成到切割設(shè)備中，也可作為單獨(dú)模塊與其他設(shè)備對接，提高薄晶圓的處理能力。切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā)，復(fù)雜芯片布局切割時間縮短35%。

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案：先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率，解決化合物半導(dǎo)體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點。中清航科全自動切割機(jī)配備多軸聯(lián)動補(bǔ)償系統(tǒng)，通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi)，支持3DNAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。切割刀痕深度控制中清航科技術(shù)達(dá)±0.2μm，減少后續(xù)研磨量。常州半導(dǎo)體晶圓切割寬度

12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產(chǎn)能瓶頸，良率99.3%。嘉興碳化硅晶圓切割代工廠

晶圓切割的主要目標(biāo)之一是從每片晶圓中獲得高產(chǎn)量的、功能完整且無損的芯片。產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造中的一個關(guān)鍵性能指標(biāo)，因為它直接影響電子器件生產(chǎn)的成本和效率。更高的產(chǎn)量意味著每個芯片的成本更造能力更大，制造商更能滿足不斷增長的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過程的精度和準(zhǔn)確性需要確保每個芯片按照設(shè)計規(guī)格分離，尺寸和對準(zhǔn)的變化小。這種精度對于在終設(shè)備中實現(xiàn)比較好電氣性能、熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性至關(guān)重要。嘉興碳化硅晶圓切割代工廠