大規(guī)模量產場景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關重要。中清航科推出的全自動切割生產線，集成自動上下料、在線檢測與NG品分揀功能，單臺設備每小時可處理30片12英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網平臺實現(xiàn)多設備協(xié)同管控，設備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預帶來的質量波動。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過程中極易產生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術，通過局部深冷處理增強晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進封裝工藝提供可靠的晶圓預處理保障。中清航科多軸聯(lián)動切割頭，適應曲面晶圓±15°傾角加工。舟山芯片晶圓切割廠

中清航科開放6條全自動切割產線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區(qū)，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數(shù)組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數(shù)包，工藝開發(fā)周期縮短90%。臺州碳化硅陶瓷晶圓切割企業(yè)切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā)，復雜芯片布局切割時間縮短35%。

面向磁傳感器制造，中清航科開發(fā)超導磁懸浮切割臺。晶圓在強磁場（0.5T）下懸浮，消除機械接觸應力，切割后磁疇結構畸變率<0.3%，靈敏度波動控制在±0.5%。中清航科電化學回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬，純度達99.95%。單條產線年回收貴金屬價值超$80萬，回收水符合SEMIF78標準，實現(xiàn)零廢液排放。針對HJT電池脆弱電極層，中清航科采用熱激光控制技術（LCT）。紅外激光精確加熱切割區(qū)至200℃，降低材料脆性，電池效率損失<0.1%，碎片率控制在0.2%以內。

針對航天電子需求，中清航科在屏蔽室內完成切割（防宇宙射線干擾）。采用低介電刀具材料，避免靜電放電損傷，芯片單粒子翻轉率降至10??errors/bit-day。中清航科提供IATF16949認證切割參數(shù)包：包含200+測試報告（剪切力/熱沖擊/HAST等），加速客戶車規(guī)芯片認證流程，平均縮短上市時間6個月。中清航科殘渣圖譜數(shù)據庫：通過質譜分析切割碎屑成分，溯源工藝缺陷。每年幫助客戶解決15%的隱性良率問題，挽回損失超$300萬。中清航科氣動懸浮切割頭：根據晶圓厚度自動調節(jié)壓力（范圍0.1-5N，精度±0.01N）。OLED顯示面板切割良率提升至99.8%，邊緣像素損壞率<0.01%。中清航科推出切割機租賃服務，降低客戶初期投入成本。

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案：先以激光在晶圓表面形成引導槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率，解決化合物半導體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯(lián)動補償系統(tǒng)，通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內，支持3DNAND多層堆疊結構加工。超窄街切割方案中清航科實現(xiàn)30μm道寬，芯片數(shù)量提升18%。上海碳化硅線晶圓切割寬度

中清航科切割液回收系統(tǒng)降低耗材成本35%，符合綠色制造。舟山芯片晶圓切割廠

在晶圓切割設備的自動化升級浪潮中，中清航科走在行業(yè)前列。其新推出的智能切割單元，可與前端光刻設備、后端封裝設備實現(xiàn)無縫對接，通過SECS/GEM協(xié)議完成數(shù)據交互，實現(xiàn)半導體生產全流程的自動化閉環(huán)。該單元還具備自我診斷功能，能提前預警潛在故障，將非計劃停機時間減少60%，為大規(guī)模生產提供堅實保障。對于小尺寸晶圓的切割，傳統(tǒng)設備往往面臨定位難、效率低的問題。中清航科專門設計了針對2-6英寸小晶圓的切割工作站，采用多工位旋轉工作臺，可同時處理8片小晶圓，切割效率較單工位設備提升4倍。配合特制的彈性吸盤，能有效避免小晶圓吸附時的損傷，特別適合MEMS傳感器、射頻芯片等小批量高精度產品的生產。舟山芯片晶圓切割廠