單相整流橋模塊是 Ixys 艾賽斯整流橋產(chǎn)品線的基礎(chǔ)款，內(nèi)部由 4 顆整流二極管組成橋式整流電路，可將單相交流電轉(zhuǎn)換為脈動(dòng)直流電。其采用對(duì)稱的芯片布局設(shè)計(jì)，確保正負(fù)半周整流特性一致，導(dǎo)通壓降低至 1.0V 以下，反向漏電流小于 10μA，具備優(yōu)異的電氣性能。電壓等級(jí)涵蓋 50V-1200V，電流從 10A 到 500A 不等，封裝形式以緊湊型 DIP、MODULE 為主，部分型號(hào)集成散熱器安裝孔，適配小型化設(shè)備需求。在家用電器（如空調(diào)、洗衣機(jī)）的電源電路、小型 UPS、便攜式設(shè)備充電器等場(chǎng)景中，單相整流橋模塊簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，提升了電源轉(zhuǎn)換效率，為設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行提供基礎(chǔ)直流電源。于照明控制系統(tǒng)中，Ixys艾賽斯可控硅模塊可對(duì)燈光亮度進(jìn)行高效調(diào)節(jié)，滿足不同場(chǎng)景需求。IXYS艾賽斯MCC501-14IO1

高壓整流橋模塊是 Ixys 艾賽斯針對(duì)高電壓應(yīng)用開發(fā)的**產(chǎn)品，通過(guò)強(qiáng)化的芯片結(jié)構(gòu)與封裝工藝，實(shí)現(xiàn)了超高反向耐壓特性，電壓等級(jí)覆蓋 3000V-6500V，電流范圍從 50A 到 2000A。模塊內(nèi)部采用串聯(lián)芯片堆疊技術(shù)，配合精確的電壓均衡設(shè)計(jì)，確保各芯片承受的電壓均勻分配，避免局部過(guò)壓擊穿。封裝采用平板型（Press-Pack）或高壓 MODULE 形式，絕緣性能優(yōu)異，爬電距離符合國(guó)際高壓標(biāo)準(zhǔn)，且具備良好的散熱性能。在高壓直流輸電（HVDC）換流站、高壓電機(jī)勵(lì)磁電源、工業(yè)高頻加熱設(shè)備等高壓場(chǎng)景中，高壓整流橋模塊作為**整流器件，實(shí)現(xiàn)了高電壓交流電向直流電的穩(wěn)定轉(zhuǎn)換，保障了高壓系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。IXYS艾賽斯MCC501-14IO1IXYS艾賽斯模塊醫(yī)療設(shè)備款，低噪聲保障MRI成像精度。

新能源汽車充電機(jī)對(duì)整流效率與可靠性要求極高，Ixys 艾賽斯整流橋模塊為其提供了高效的前端整流解決方案。充電機(jī)中多采用三相整流橋模塊，將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為直流電后，再通過(guò) DC-DC 轉(zhuǎn)換器為動(dòng)力電池充電。模塊具備高電流密度特性（可達(dá) 5A/mm2），適配快充場(chǎng)景的大電流需求，低導(dǎo)通壓降特性降低了整流損耗，使充電機(jī)轉(zhuǎn)換效率突破 96%。封裝采用耐高溫設(shè)計(jì)，能適應(yīng)充電機(jī)長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行的溫升環(huán)境，且具備良好的抗振動(dòng)、沖擊性能，適配車載或戶外充電樁的安裝需求。在直流快充樁、車載充電機(jī)（OBC）等設(shè)備中，整流橋模塊確保了充電過(guò)程的高效與安全，縮短了充電時(shí)間。

在電動(dòng)汽車電源系統(tǒng)中，Ixys 艾賽斯二極管模塊廣泛應(yīng)用于車載充電機(jī)（OBC）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器及電機(jī)控制器。充電機(jī)中的整流二極管模塊將電網(wǎng)交流電轉(zhuǎn)換為直流電為電池充電，其高電流密度特性適配快充場(chǎng)景；DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的肖特基二極管模塊實(shí)現(xiàn)高低壓直流轉(zhuǎn)換，為車載電子設(shè)備供電，零反向恢復(fù)損耗特性提升了轉(zhuǎn)換效率；電機(jī)控制器中的續(xù)流二極管模塊則配合 IGBT 工作，保障電機(jī)轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)的平穩(wěn)性。模塊采用耐高溫封裝與強(qiáng)化絕緣設(shè)計(jì)，能適應(yīng)車載環(huán)境的振動(dòng)、沖擊與溫度波動(dòng)，為電動(dòng)汽車的安全高效運(yùn)行提供**支撐。Ixys艾賽斯其主要業(yè)務(wù)涵蓋功率半導(dǎo)體、模塊及系統(tǒng)解決方案，服務(wù)全球工業(yè)與新能源市場(chǎng)。

IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合型電力電子器件。它巧妙地結(jié)合了傳統(tǒng) BJT（雙極結(jié)型晶體管）的高工作電壓、大電流容量和低飽和電壓的優(yōu)點(diǎn)，以及 MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的快速開關(guān)特性。在 Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊中，當(dāng)給柵極施加適當(dāng)電壓時(shí)，通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)形成導(dǎo)電溝道，使模塊導(dǎo)通，電流得以順利通過(guò)；而當(dāng)柵極電壓去除，導(dǎo)電溝道消失，模塊截止，電流阻斷。這種基于電壓控制的導(dǎo)通與截止機(jī)制，讓 IGBT 模塊在電力電子電路中能夠高效地實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換與控制。Ixys艾賽斯可控硅模塊國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)，便于安裝與集成，可輕松適配各類電氣設(shè)備，降低開發(fā)難度。IXYS艾賽斯MCMA265PD1600KB

IXYS艾賽斯模塊整流橋模塊集成橋式結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化AC-DC轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)。IXYS艾賽斯MCC501-14IO1

Ixys 艾賽斯打破 “標(biāo)準(zhǔn)化器件” 思維，構(gòu)建了從需求定義到落地運(yùn)維的全流程定制服務(wù)體系。定制范圍涵蓋三方面：電氣參數(shù)定制，如根據(jù)客戶需求調(diào)整模塊耐壓、電流與開關(guān)速度；結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)定制，包括封裝尺寸、引腳布局與散熱方式優(yōu)化；功能集成定制，可集成驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)元件與狀態(tài)監(jiān)測(cè)芯片。例如為某航空航天企業(yè)定制輕量化 SiC 模塊，重量較標(biāo)準(zhǔn)款減輕 60%；為船舶制造商開發(fā)耐鹽霧腐蝕模塊，通過(guò) 1000 小時(shí)鹽霧測(cè)試。同時(shí)，提供仿真模型、測(cè)試工裝與現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試支持，縮短客戶研發(fā)周期。IXYS艾賽斯MCC501-14IO1