Ixys 艾賽斯可控硅模塊采用先進的封裝技術保障性能發揮，主流封裝包括平板型（Press-Pack）與模塊型（Module）。平板型封裝通過壓力接觸實現芯片與散熱片的緊密連接，導熱效率高，且具備優異的抗振動性能，適配大功率場景；模塊型封裝則采用直接銅鍵合（DCB）載板，陶瓷絕緣層導熱系數達 200W/(m?K)，配合優化的內部布局，快速導出芯片熱量。部分*端型號集成溫度傳感器與電流檢測元件，便于實時監控模塊狀態。封裝材料采用阻燃環氧樹脂與無氧銅，通過 UL 與 IEC 認證，在 - 40℃至 125℃環境中穩定工作，兼顧電氣安全與機械可靠性。Ixys艾賽斯可控硅模塊國際標準封裝設計，便于安裝與集成，可輕松適配各類電氣設備，降低開發難度。IXYS艾賽斯VUO34-08N01

整流橋模塊是將多顆整流二極管按特定拓撲結構集成封裝的功率半導體器件，**功能是實現交流電向直流電的轉換，是電力電子系統的 “電能轉換門戶”。Ixys 艾賽斯作為功率半導體領域的**企業，其整流橋模塊以高集成度、高可靠性和低損耗為**優勢，通過優化的芯片匹配與封裝設計，解決了分立二極管組合電路中電流不均、散熱不佳的痛點。產品電壓等級覆蓋 50V-6500V，電流范圍從 10A 至 3000A，可適配從家用小功率設備到工業大功率系統的全場景整流需求，在電源設備、工業驅動、新能源等領域發揮著不可替代的作用，為后續電路提供穩定的直流電能支撐。IXYS艾賽斯VUO34-08N01在工業加熱設備里，Ixys艾賽斯可控硅模塊能精確調節溫度，為生產過程提供穩定的熱量輸出。

Ixys 艾賽斯自 1983 年成立以來，始終以 “高效節能、可靠穩定” 為**研發理念，其功率半導體模塊憑借深厚的技術積累成為全球電力電子領域的**產品。不同于分立器件，Ixys 模塊通過多芯片集成封裝與系統級優化設計，實現了功率密度、散熱性能與可靠性的三重突破，從根本上解決了大功率場景下的電路復雜、損耗過高、穩定性不足等痛點。產品覆蓋 IGBT、二極管、可控硅、整流橋、MOS 管等全品類功率器件模塊，電壓等級跨度 50V-15kV，電流范圍 1A-4000A，***適配工業、新能源、醫療、軌道交通等全場景電力控制需求，是現代電力電子系統的 “**動力單元”。

Ixys 艾賽斯模塊封裝技術經歷了 “標準化 - 場景化 - 定制化” 的演進路徑。早期以 TO 系列、MODULE 標準封裝為主，滿足通用場景需求；隨后針對特定場景開發**封裝，如為消費電子設計 SOP/QFN 小型化封裝，為工業設備開發 SOT227B 緊湊型封裝；如今則提供全維度定制服務，可根據客戶需求調整引腳布局、散熱方式、集成功能，甚至開發全新封裝結構。例如為船舶電力系統定制耐鹽霧腐蝕封裝，為航空航天設備設計輕量化陶瓷金屬封裝，封裝材料均通過 UL、IEC 認證，工作溫度范圍覆蓋 - 55℃至 225℃。Ixys二極管模塊含FRD、肖特基等類型，適配多場景整流續流需求。

Ixys 艾賽斯作為功率半導體領域的**企業，其二極管模塊延續了品牌在高效能、高可靠性上的技術基因，專為中高功率電力電子系統設計。不同于分立二極管，模塊通過集成化封裝將多顆二極管芯片組合，實現了更高的功率密度與更優的散熱性能。**價值體現在對電能轉換過程的精確調控 —— 無論是整流、續流還是箝位保護，都能憑借低正向壓降、高反向耐壓的特性降低能量損耗。從工業驅動到新能源發電，Ixys 二極管模塊為各類系統提供了穩定的電流導向解決方案，是保障電力電子設備高效運行的關鍵器件。Ixys艾賽斯MOS管緊湊的貼片封裝設計，節省PCB板空間，適配小型化電子設備研發。IXYS艾賽斯VUO34-08N01

Ixys艾賽斯IGBT模塊融合MOSFET與BJT優勢，開關速度快且導通損耗低，適配高頻電力變換。IXYS艾賽斯VUO34-08N01

Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊采用了先進的平面柵和溝槽柵技術。平面柵技術成熟穩定，能夠在保證器件性能的同時，有效降低成本。其在大面積芯片上構建的平面柵結構，有利于均勻分布電場，提高模塊的耐壓能力。而溝槽柵技術則更進一步，通過在硅片表面刻蝕出溝槽狀的柵極結構，明顯增加了柵極與硅片的接觸面積。這不僅提升了模塊的電流密度，使相同尺寸的模塊能夠處理更大的電流，還降低了導通電阻，減少了導通損耗，極大地提高了模塊的整體效率，讓 Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊在性能上更具競爭力。IXYS艾賽斯VUO34-08N01