MOS 管（金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管）是電壓控制型功率半導體器件，**通過柵極電壓形成導電溝道實現電流通斷控制，具有開關速度快、驅動功率小、高頻特性優異等優勢。Ixys 艾賽斯作為功率半導體**企業，其 MOS 管以高可靠性、低損耗、寬電壓覆蓋為核心競爭力，通過先進的芯片設計與封裝工藝，解決了傳統 MOS 管在大功率場景下的散熱瓶頸與電流不均問題。產品電壓等級覆蓋 100V-10kV，電流范圍從 1A 至 1000A，涵蓋單管、模塊等多種形態，適配從消費電子到工業高壓的全場景電力控制需求，在電源轉換、電機驅動、新能源等領域扮演著 “電力開關**” 的角色。IXYS艾賽斯模塊軌道交通模塊耐振動，通過嚴苛EN50155認證。IXYS艾賽斯VGO55-14IO7

電力系統的安全穩定運行離不開 Ixys 艾賽斯模塊的精確控制。在高壓直流輸電（HVDC）換流站，可控硅模塊組成換流橋，實現交直流電能轉換，其 6500V 耐壓與 3000A 電流特性適配大功率輸電需求；靜止無功補償器（SVC）中，可控硅模塊快速投切電抗器與電容器，動態調節電網無功功率，維持電壓穩定；配電系統的智能斷路器則采用小型化 IGBT 模塊，實現故障電流快速分斷。這些模塊具備高可靠性與長壽命特性，平均無故障時間（MTBF）超 10 萬小時，為電網安全提供底層保障。IXYS艾賽斯VGO55-14IO7Ixys艾賽斯整流橋采用集成化設計，能高效將交流電轉為直流電，簡化電源電路結構。

電力系統中無功功率失衡會導致電壓波動、功率因數降低，影響電網穩定性與供電質量，Ixys 艾賽斯可控硅模塊在靜止無功補償器（SVC）中實現動態無功調節。SVC 通過可控硅模塊控制電抗器與電容器的投切，當電網無功不足時，投入電容器提供容性無功；當無功過剩時，投入電抗器吸收感性無功。模塊的快速觸發與關斷特性（響應時間＜10ms）確保了無功補償的實時性，可跟隨電網負荷變化動態調整無功輸出，使功率因數維持在 0.95 以上。在鋼鐵廠、變電站、新能源電站等場景，該模塊提升了電網穩定性，降低了輸電損耗與電費成本。

在電動汽車電源系統中，Ixys 艾賽斯二極管模塊廣泛應用于車載充電機（OBC）、DC-DC 轉換器及電機控制器。充電機中的整流二極管模塊將電網交流電轉換為直流電為電池充電，其高電流密度特性適配快充場景；DC-DC 轉換器中的肖特基二極管模塊實現高低壓直流轉換，為車載電子設備供電，零反向恢復損耗特性提升了轉換效率；電機控制器中的續流二極管模塊則配合 IGBT 工作，保障電機轉速調節的平穩性。模塊采用耐高溫封裝與強化絕緣設計，能適應車載環境的振動、沖擊與溫度波動，為電動汽車的安全高效運行提供**支撐。艾賽斯擁有全球化生產與服務網絡，可快速響應各地客戶的需求。

光伏逆變器中，Ixys 艾賽斯二極管模塊主要用于續流回路與防反接保護。在逆變器的功率變換環節，快恢復或肖特基二極管模塊作為續流器件，在功率開關管關斷時為濾波電感的儲能提供釋放路徑，其低損耗特性直接提升逆變器的轉換效率，部分型號可使逆變器效率突破 99%。防反接二極管模塊則串聯在光伏陣列與逆變器之間，當光伏組件正負極接反時，模塊截止阻斷電流，避免逆變器內部電路燒毀。模塊具備高可靠性與寬溫度適應范圍，能在 - 40℃至 175℃的環境中穩定工作，適配不同氣候條件下的光伏電站需求。Ixys艾賽斯場效應管采用先進溝槽工藝，導通電阻極低，能明顯降低電路功率損耗。IXYS艾賽斯VGO55-14IO7

IXYS艾賽斯模塊雪崩模塊精確雪崩擊穿，為電路提供納秒級過壓防護。IXYS艾賽斯VGO55-14IO7

Ixys 艾賽斯模塊為新能源發電提供從發電端到并網端的全鏈條解決方案。光伏領域，組串式逆變器采用超級結 MOS 管模塊與快恢復二極管模塊，實現 98.5% 以上的轉換效率；集中式逆變器則配套 6500V IGBT 模塊，適配高電壓輸入場景。風電領域，變槳系統使用 IGBT 模塊控制葉片角度，變流器采用可控硅 + 整流橋復合模塊，實現風能向電能的高效轉換。此外，儲能系統中廣泛應用肖特基二極管模塊與 MOS 管模塊，保障充放電過程的低損耗與高可靠性，為 “風光儲” 一體化提供**器件支撐。IXYS艾賽斯VGO55-14IO7