整流橋模塊是將多顆整流二極管按特定拓撲結構集成封裝的功率半導體器件，**功能是實現交流電向直流電的轉換，是電力電子系統的 “電能轉換門戶”。Ixys 艾賽斯作為功率半導體領域的**企業，其整流橋模塊以高集成度、高可靠性和低損耗為**優勢，通過優化的芯片匹配與封裝設計，解決了分立二極管組合電路中電流不均、散熱不佳的痛點。產品電壓等級覆蓋 50V-6500V，電流范圍從 10A 至 3000A，可適配從家用小功率設備到工業大功率系統的全場景整流需求，在電源設備、工業驅動、新能源等領域發揮著不可替代的作用，為后續電路提供穩定的直流電能支撐。工業電源設備里，Ixys艾賽斯場效應管其精確的電流控制能力，助力電源實現高穩定性輸出。IXYS艾賽斯MCD162-14iO1

Ixys 艾賽斯打破 “標準化器件” 思維，構建了從需求定義到落地運維的全流程定制服務體系。定制范圍涵蓋三方面：電氣參數定制，如根據客戶需求調整模塊耐壓、電流與開關速度；結構設計定制，包括封裝尺寸、引腳布局與散熱方式優化；功能集成定制，可集成驅動電路、保護元件與狀態監測芯片。例如為某航空航天企業定制輕量化 SiC 模塊，重量較標準款減輕 60%；為船舶制造商開發耐鹽霧腐蝕模塊，通過 1000 小時鹽霧測試。同時，提供仿真模型、測試工裝與現場調試支持，縮短客戶研發周期。IXYS艾賽斯MCD162-14iO1IXYS艾賽斯模塊軌道交通模塊耐振動，通過嚴苛EN50155認證。

Ixys 艾賽斯碳化硅（SiC）MOS 管基于寬禁帶半導體材料開發，徹底突破硅基器件的性能極限，具備耐高溫（*高 225℃）、耐高壓（可達 15kV）、低損耗的**優勢。其導通電阻較同規格硅基 MOS 管降低 70%，開關速度提升 3 倍，且無反向恢復損耗，能適應極端高溫與高頻工況。采用專屬的 SiC 芯片工藝與封裝技術，解決了寬禁帶材料的接觸電阻與散熱難題，封裝形式涵蓋 TO-247、MODULE 等。在新能源汽車主逆變器、光伏逆變器、航空航天電源等**場景中，SiC MOS 管可使系統效率突破 99%，體積縮小 40%，是未來高效電力電子系統的**方向。

不間斷電源（UPS）中，Ixys 艾賽斯二極管模塊是保障電力連續性的關鍵器件。在市電正常時，整流二極管模塊將交流電轉換為直流電，為蓄電池充電并為逆變器供電，其高可靠性確保充電過程穩定高效；當市電中斷時，二極管模塊快速切換至備用回路，阻斷蓄電池向整流側反向放電，同時配合逆變器將蓄電池電能轉換為交流電供負載使用。模塊的低正向壓降降低了回路損耗，高浪涌耐受能力能應對負載突變時的電流沖擊，且封裝緊湊，適配 UPS 小型化設計需求。在數據中心、通信基站等關鍵場景，該模塊為 UPS 系統提供可靠的電力轉換與切換支撐，避免斷電導致的數據丟失。Ixys艾賽斯可控硅模塊緊湊的設計使得模塊體積小巧，在節省空間的同時，不影響其強大的功能發揮。

Ixys 艾賽斯模塊為新能源發電提供從發電端到并網端的全鏈條解決方案。光伏領域，組串式逆變器采用超級結 MOS 管模塊與快恢復二極管模塊，實現 98.5% 以上的轉換效率；集中式逆變器則配套 6500V IGBT 模塊，適配高電壓輸入場景。風電領域，變槳系統使用 IGBT 模塊控制葉片角度，變流器采用可控硅 + 整流橋復合模塊，實現風能向電能的高效轉換。此外，儲能系統中廣泛應用肖特基二極管模塊與 MOS 管模塊，保障充放電過程的低損耗與高可靠性，為 “風光儲” 一體化提供**器件支撐。IXYS艾賽斯模塊肖特基模塊零反向恢復電荷，低壓大電流場景損耗極低。IXYS艾賽斯MCD162-14iO1

Ixys艾賽斯可控硅模塊的隔離電壓高達數千伏，能有效隔離電路中的高低壓部分，保障操作人員安全。IXYS艾賽斯MCD162-14iO1

Ixys 艾賽斯整流橋模塊擁有完善的產品矩陣，按相數可分為單相、三相整流橋；按性能可分為普通整流橋、快恢復整流橋、肖特基整流橋；按電壓可覆蓋 50V-6500V，電流范圍 10A-3000A，封裝形式包括 DIP、SMD、MODULE、平板型等多種規格。針對特殊應用場景，Ixys 提供定制化服務，可根據客戶需求調整模塊的電氣參數（如導通壓降、反向耐壓）、封裝結構（如引腳布局、散熱方式）與集成功能（如內置溫度傳感器、均流電阻），例如為船舶電力系統定制耐鹽霧腐蝕的整流橋模塊，為航空航天設備定制輕量化、耐高溫的整流橋模塊。同時，公司提供詳盡的技術手冊、應用筆記與仿真模型，配合專業技術團隊提供全流程支持，幫助客戶快速落地應用方案。IXYS艾賽斯MCD162-14iO1