超級結 MOS 管（SJ-MOS）是 Ixys 艾賽斯在 MOS 管技術上的重大突破，通過 P 型與 N 型交替的外延層結構，突破了傳統 MOS 管 “導通電阻 - 擊穿電壓” 的制約關系，實現高耐壓與低導通損耗的雙重優勢。其電壓等級覆蓋 600V-1.2kV，電流至 200A，反向恢復電荷*為傳統 MOS 管的 1/3，開關損耗降低 50% 以上。采用先進的平面柵設計與離子注入工藝，確保器件在高頻工況下穩定運行，dv/dt 耐受能力可達 5000V/μs。在光伏逆變器、高頻開關電源、不間斷電源（UPS）等高頻高效場景中，SJ-MOS 管成為提升系統能效的**器件。Ixys艾賽斯IGBT具備高擊穿電壓與大電流容量，單模塊可承載數千伏電壓、數百安培電流。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B

高壓整流橋模塊是 Ixys 艾賽斯針對高電壓應用開發的**產品，通過強化的芯片結構與封裝工藝，實現了超高反向耐壓特性，電壓等級覆蓋 3000V-6500V，電流范圍從 50A 到 2000A。模塊內部采用串聯芯片堆疊技術，配合精確的電壓均衡設計，確保各芯片承受的電壓均勻分配，避免局部過壓擊穿。封裝采用平板型（Press-Pack）或高壓 MODULE 形式，絕緣性能優異，爬電距離符合國際高壓標準，且具備良好的散熱性能。在高壓直流輸電（HVDC）換流站、高壓電機勵磁電源、工業高頻加熱設備等高壓場景中，高壓整流橋模塊作為**整流器件，實現了高電壓交流電向直流電的穩定轉換，保障了高壓系統的可靠運行。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B艾賽斯始終以客戶為中心，提供從產品到技術支持的全鏈條服務。

新能源汽車充電機對整流效率與可靠性要求極高，Ixys 艾賽斯整流橋模塊為其提供了高效的前端整流解決方案。充電機中多采用三相整流橋模塊，將電網交流電轉換為直流電后，再通過 DC-DC 轉換器為動力電池充電。模塊具備高電流密度特性（可達 5A/mm2），適配快充場景的大電流需求，低導通壓降特性降低了整流損耗，使充電機轉換效率突破 96%。封裝采用耐高溫設計，能適應充電機長時間高負載運行的溫升環境，且具備良好的抗振動、沖擊性能，適配車載或戶外充電樁的安裝需求。在直流快充樁、車載充電機（OBC）等設備中，整流橋模塊確保了充電過程的高效與安全，縮短了充電時間。

Ixys 艾賽斯二極管模塊普遍采用直接銅鍵合（DCB）載板封裝技術，通過陶瓷絕緣層將銅箔與芯片緊密鍵合，形成高效的散熱路徑。DCB 載板不僅絕緣性能優異，導熱系數可達 200W/(m?K) 以上，遠超傳統 FR4 基板，能快速將芯片產生的熱量傳導至散熱片。模塊封裝形式涵蓋緊湊型 SOT227B、標準 MODULE 封裝及定制化大功率封裝，部分型號集成溫度傳感器，便于實時監測模塊溫度。此外，封裝邊緣采用圓角設計與阻燃材料，通過 UL 安全認證，在提升散熱效率的同時，保障了電氣安全與機械可靠性。Ixys艾賽斯可控硅模塊采用先進的平面鈍化芯片技術，提升了長期穩定性，減少故障發生概率。

Ixys 艾賽斯 MOS 管采用多元化封裝技術適配不同功率場景，中小功率型號采用 TO-220、TO-247 等通孔封裝與 SOP、QFN 等表面貼裝封裝，體積小巧，適配消費電子與小型電源設備；大功率型號采用 MODULE 封裝，內置直接銅鍵合（DCB）載板，陶瓷絕緣層導熱系數達 200W/(m?K)，配合多芯片并聯設計，快速導出熱量；高壓 SiC MOS 管采用陶瓷金屬封裝，提升耐高溫與絕緣性能。部分**型號集成溫度傳感器與電流檢測芯片，實現狀態實時監測，封裝材料通過 UL、IEC 認證，在 - 55℃至 225℃環境中穩定工作，兼顧電氣安全與機械可靠性。IXYS艾賽斯模塊UPS系統中防反接，保障斷電切換時電力連續。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B

Ixys艾賽斯可控硅模塊，具備出色的電壓阻斷能力，可承受高達數千伏的反向電壓，保障電路安全。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B

光伏逆變器中，Ixys 艾賽斯二極管模塊主要用于續流回路與防反接保護。在逆變器的功率變換環節，快恢復或肖特基二極管模塊作為續流器件，在功率開關管關斷時為濾波電感的儲能提供釋放路徑，其低損耗特性直接提升逆變器的轉換效率，部分型號可使逆變器效率突破 99%。防反接二極管模塊則串聯在光伏陣列與逆變器之間，當光伏組件正負極接反時，模塊截止阻斷電流，避免逆變器內部電路燒毀。模塊具備高可靠性與寬溫度適應范圍，能在 - 40℃至 175℃的環境中穩定工作，適配不同氣候條件下的光伏電站需求。IXYS艾賽斯MCD44-18iO1B