單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環境，可以按前面161節反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。

在提取出來的拓撲中，設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數，

單擊OK按鈕退出參數設置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設計沒有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。 DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內存模塊？安徽多端口矩陣測試DDR3測試

多數電子產品，從智能手機、PC到服務器，都用著某種形式的RAM存儲設備。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結合，SDRAM作為大多數基于計算機產品 的主流存儲器技術被廣泛應用于各種高速系統設計中。

DDR是雙倍數率的SDRAM內存接口，其規范于2000年由JEDEC （電子工程設計發展 聯合協會）發布。隨著時鐘速率和數據傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統性能指標，或確保系統內部存儲器及其控制設備的互操作性方面的挑戰越來越大。存 儲器子系統的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。 解決方案DDR3測試聯系方式DDR3一致性測試是否適用于工作站和游戲電腦？

使用SystemSI進行DDR3信號仿真和時序分析實例

SystemSI是Cadence Allegro的一款系統級信號完整性仿真工具，它集成了 Sigrity強大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網絡模型的提取功能。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊，本章介紹其中的并行總線分析模塊，本書第5章介紹串 行通道分析模塊。

SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型， 支持傳輸線模型、S參數模型和通用SPICE模型，支持非理想電源地的仿真分析。它擁有強 大的眼圖、信號質量、信號延時測量功能和詳盡的時序分析能力，并配以完整的測量分析報 告供閱讀和存檔。下面我們結合一個具體的DDR3仿真實例，介紹SystemSI的仿真和時序分 析方法。本實例中的關鍵器件包括CPU、4個DDR3 SDRAM芯片和電源模塊，

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo

設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特別是On-Die Capacitor,需要根據 實際情況正確設定。因為實際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設置窗口后，Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉，表明這兩個模塊間連接有問題， 暫時不管，等所有模型設置完成后再重新連接。 DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區別？

DDR3信號質量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高，信號電平降低，信號質量問題也會變得突出。比如DDR1的數據信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質量；DDR2/3/4會將外部電阻變成內部ODT；對于多負載的控制命令信號，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅動能力的選擇等方面，可以通過仿真 來得到正確驅動和端接，使DDR工作時信號質量改善，從而增大DDRI作時序裕量。DDR3一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環境？上海智能化多端口矩陣測試DDR3測試

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DDR 規范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統設計過程，以及將實際的設計需求和 DDR 規范中的主要性能指標相結合，我們以一個實際的設計分析實例來說明，如何在一個 DDR 系統設計中，解讀并使用 DDR 規范中的參數，應用到實際的系統設計中。是某項目中，對 DDR 系統的功能模塊細化框圖。在這個系統中，對 DDR 的設計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75。每個 DDR 芯片是 8 位數據寬度，構成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個 Bank，尋址信號為 BA<1..0>。

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