瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號，單擊0K按鈕確認(rèn)。

同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時(shí)鐘Clock信號之間的時(shí)序分析功能，而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號間的時(shí)序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號Strobe和時(shí)鐘信號Clock之間的時(shí)序關(guān)系，則可以設(shè)置與Strobe對應(yīng)的時(shí)鐘信號。在Clock 下方的高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時(shí) 鐘信號。 DDR3一致性測試是否可以檢測出硬件故障？浙江DDR3測試市場價(jià)

DDR 規(guī)范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程，以及將實(shí)際的設(shè)計(jì)需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個(gè)實(shí)際的設(shè)計(jì)分析實(shí)例來說明，如何在一個(gè) DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實(shí)際的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。是某項(xiàng)目中，對 DDR 系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個(gè)系統(tǒng)中，對 DDR 的設(shè)計(jì)需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個(gè) DDR 功能模塊由四個(gè) 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲(chǔ)芯片 MT46V64M8BN-75。每個(gè) DDR 芯片是 8 位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成 32 位寬的 2GBDDR 存儲(chǔ)單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個(gè) Bank，尋址信號為 BA<1..0>。

上海DDR3測試芯片測試在DDR3一致性測試期間能否繼續(xù)進(jìn)行其他任務(wù)？

常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號 端接使DDR信號質(zhì)量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個(gè)實(shí)際案例說明DDR3信號質(zhì)量仿真。

在本案例中客戶反映實(shí)測CLK信號質(zhì)量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差，系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時(shí)鐘信號做了終端上拉匹配后，可以正常工作。

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時(shí)鐘信號頻率為800?1600MHz； 數(shù)據(jù)信號速率為1600?3200Mbps；數(shù)據(jù)命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時(shí) 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓?fù)渥呔€；數(shù)據(jù)和選通信號依舊使用點(diǎn)對點(diǎn)或樹形拓 撲，并支持動(dòng)態(tài)ODT功能；也支持Write Leveling功能。

綜上所述，DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號都釆用對稱的樹形拓?fù)洌籇DR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號也延用點(diǎn)對點(diǎn)或樹形拓?fù)洹Ｉ壍紻DR2后，為了改進(jìn)信號質(zhì)量，在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號設(shè)計(jì)了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優(yōu)化時(shí)序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快，時(shí)序裕量更小，選通信號只釆用差分信號。 DDR3一致性測試是否可以修復(fù)一致性問題？

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實(shí)際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區(qū)下方彈出Property界面，左側(cè)為Block之間的連接信息，右側(cè)是模型設(shè)置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對話框。 是否可以在運(yùn)行操作系統(tǒng)時(shí)執(zhí)行DDR3一致性測試？浙江DDR3測試市場價(jià)

如何進(jìn)行DDR3內(nèi)存模塊的熱插拔一致性測試？浙江DDR3測試市場價(jià)

· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification：如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。

因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊，需要的技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計(jì) DDR 存儲(chǔ)模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對 DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R」的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 浙江DDR3測試市場價(jià)