重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來(lái)設(shè)置。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于非服務(wù)器計(jì)算機(jī)？信號(hào)完整性測(cè)試DDR3測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法

常見的信號(hào)質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號(hào)質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說(shuō)信號(hào)幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號(hào) 端接使DDR信號(hào)質(zhì)量變差，通過(guò)仿真就可以找出合適端接，使信號(hào)質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號(hào)為例，通過(guò)一個(gè)實(shí)際案例說(shuō)明DDR3信號(hào)質(zhì)量仿真。

在本案例中客戶反映實(shí)測(cè)CLK信號(hào)質(zhì)量不好。CLK信號(hào)從CUP (U100)出來(lái)經(jīng)過(guò)4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號(hào)很 差，系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對(duì)時(shí)鐘信號(hào)做了終端上拉匹配后，可以正常工作。 通信DDR3測(cè)試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)是否可以在已通過(guò)一致性測(cè)試的DDR3內(nèi)存模塊之間混搭？

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成，其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒（die），多個(gè)芯粒可以組成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對(duì)于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問(wèn)題，確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述：

架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫操作。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級(jí)：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來(lái)表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。不同的速度等級(jí)對(duì)應(yīng)著不同的數(shù)據(jù)傳輸速度和性能。 DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？

DDR3信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題及仿真解決案例隨著DDR信號(hào)速率的升高，信號(hào)電平降低，信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題也會(huì)變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號(hào)通常用在源端加上匹配電阻來(lái)改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會(huì)將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對(duì)于多負(fù)載的控制命令信號(hào)，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動(dòng)能力的選擇等方面，可以通過(guò)仿真 來(lái)得到正確驅(qū)動(dòng)和端接，使DDR工作時(shí)信號(hào)質(zhì)量改善，從而增大DDRI作時(shí)序裕量。DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試是否需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行？信號(hào)完整性測(cè)試DDR3測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法

何時(shí)需要將DDR3內(nèi)存模塊更換為新的？信號(hào)完整性測(cè)試DDR3測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法

重復(fù)以上步驟，分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。

3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊；第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過(guò)程。 信號(hào)完整性測(cè)試DDR3測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法