至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo

設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特別是On-Die Capacitor,需要根據 實際情況正確設定。因為實際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設置窗口后，Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉，表明這兩個模塊間連接有問題， 暫時不管，等所有模型設置完成后再重新連接。 DDR3一致性測試是否適用于工作站和游戲電腦？PCI-E測試DDR3測試DDR測試

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時鐘信號頻率為800?1600MHz； 數據信號速率為1600?3200Mbps；數據命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線；數據和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲，并支持動態ODT功能；也支持Write Leveling功能。

綜上所述，DDR1和DDR2的數據和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲；DDR3和DDR4的數據信號也延用點對點或樹形拓撲。升級到DDR2后，為了改進信號質量，在芯片內為所有數據和選通信號設計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優化時序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快，時序裕量更小，選通信號只釆用差分信號。 PCI-E測試DDR3測試DDR測試是否可以通過重新插拔DDR3內存模塊解決一致性問題？

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環境，可以按前面161節反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。

在提取出來的拓撲中，設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數，

單擊OK按鈕退出參數設置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設計沒有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態隨機存取存儲器（DRAM）技術，它提供了較高的數據傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統的概述：

架構：DDR系統由多個組件組成，包括主板、內存控制器、內存槽和DDR內存模塊。主板上的內存控制器負責管理和控制DDR內存模塊的讀寫操作。數據傳輸方式：DDR采用雙倍數據傳輸率，即在每個時鐘周期內進行兩次數據傳輸，相比于單倍數據傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術中，數據在上升沿和下降沿時都進行傳輸，從而實現雙倍數據傳輸。速度等級：DDR技術有多個速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。速度等級表示內存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz）。不同的速度等級對應著不同的數據傳輸速度和性能。 DDR3內存的一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環境？

有其特殊含義的，也是DDR體系結構的具體體現。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數據寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數據讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統中比較難以實現的地方。DDR規范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設計的復雜性留在控制器一端，從而使得外設(DDR存儲心片)的設計變得簡單而廉價。因此，對于DDR系統設計而言，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質上就是要保證這兩個時序圖的正確性。何時需要將DDR3內存模塊更換為新的？測試服務DDR3測試銷售

如何監控DDR3內存模塊的溫度進行一致性測試？PCI-E測試DDR3測試DDR測試

使用了一個 DDR 的設計實例，來講解如何規劃并設計一個 DDR 存儲系統，包括從系統性能分析，資料準備和整理，仿真模型的驗證和使用，布局布線約束規則的生成和復用，一直到的 PCB 布線完成，一整套設計方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統的設計思路和方法。隨著技術的發展，DDR 技術本身也有了很大的改變，DDR 和 DDR2 基本上已經被市場淘汰，而 DDR3 是目前存儲系統的主流技術。

并且，隨著設計水平的提高和 DDR 技術的普及，大多數工程師都已經對如何設計一個 DDR 系統不再陌生，基本上按照通用的 DDR 設計規范或者參考案例，在系統不是很復雜的情況下，都能夠一次成功設計出可以「運行」的 DDR 系統，DDR 系統的布線不再是障礙。但是，隨著 DDR3 通信速率的大幅度提升，又給 DDR3 的設計者帶來了另外一個難題，那就是系統時序不穩定。因此，基于這樣的現狀，在本書的這個章節中，著重介紹 DDR 系統體系的發展變化，以及 DDR3 系統的仿真技術，也就是說，在布線不再是 DDR3 系統設計難題的情況下，如何通過布線后仿真，驗證并保證 DDR3 系統的穩定性是更加值得關注的問題。 PCI-E測試DDR3測試DDR測試