思捷光電建立了覆蓋產品全生命周期的售后服務體系，為用戶提供專業支持。售前提供選型咨詢，根據場景需求推薦適配機型，如高污染場景推薦STRONG雙色儀，強電磁場景推薦MARS-F光纖儀。售中提供安裝調試指導，包括現場安裝規劃、參數校準、通訊對接等，確保設備快速投入使用。售后支持多渠道并行：技術熱線，郵箱可實時解答問題；設備故障提供維修服務，保修期內免費維修非人為損壞，保修期外收取合理費用；定期回訪用戶，提醒校準維護，提供操作技巧培訓。針對批量采購用戶，可定制上門維護與操作人員培訓方案，確保設備長期穩定運行，解決用戶后顧之憂。廣泛應用于冶金、熱處理、化工、電力、光伏等多個行業。雙色紅外測溫儀價格

STRONG系列單色測溫儀是一款高性能、智能化的單色紅外測溫儀。它具有堅固外形，采用304不銹鋼機芯，可選裝帶吹掃和冷卻功能的304不銹鋼防護。它使用手動可調焦鏡頭，消色差組合透鏡，高可靠性電路設計(低溫漂、全數字化測量設計方案、高集成度SOC芯片應用、可視化OLED操作界面)和軟件設計(環境溫度的補償、實時信號處理、異常信號的處理、各種應用環境軟件代碼的不斷優化)。這些特殊的設計，使STRONG系列單色測溫儀可滿足各種苛刻工業現場和精確溫度控制的使用需求。STRONG系列單色測溫儀通過接收物體發出的窄波段輻射能量的總和來確定物體的溫度。它采用先進的軟、硬件設計，具有超寬的動態范圍，較高的穩定性。它可廣泛應用于線棒材、熱軋板、熱處理、感應加熱、鍛造、玻璃爐窯、真空爐、高溫爐、單晶硅和多晶硅等各種工業場合溫度的測量。銀川紅外測溫儀選型指南MARS 系列單色測溫儀，結構小巧，功能強大，采用 304 不銹鋼機芯。

STRONG 系列是思捷光電推出的一款高性能、智能化的非接觸式比色紅外測溫儀，在行業內備受贊譽。它具有多項優勢，是分辨率達到 0.1℃的雙色測溫儀，這一高精度特性使其能夠捕捉到溫度的細微變化，為對溫度精度要求極高的應用場景提供了可靠保障。該系列產品擁有國內寬泛的量程，從 250℃至 3200℃，可滿足各種高溫、中溫環境下的測溫需求。同時，其具備 0.5% 的高精度以及 5ms 的快速響應速度，能夠在瞬間準確測量溫度，并及時反饋數據。此外，STRONG 系列還具備可調焦功能，方便用戶在不同距離和目標大小的情況下進行準確測量。更為獨特的是，它是國內推出帶視頻瞄準、和目視瞄準雙合一的比色紅外測溫儀，提高了測量的便捷性與準確性，在工業生產、科研實驗等領域得到了廣泛應用。

思捷光電紅外測溫儀配備豐富的輸出與通訊接口，可無縫融入工業自動化系統，實現數據實時傳輸與遠程管控。模擬量輸出方面，多數機型支持兩路可編程輸出，涵蓋4mA~20mA、0mA~20mA、0V~5V、0V~10V等類型，16bit分辨率確保溫度細微變化準確傳遞，適配PLC、DCS等控制系統。通訊接口以RS485為標配，支持Modbus協議，可實現26臺設備級聯，通訊波特率4800~38400bps可調，滿足大規模測溫網絡需求。部分機型（如帶視頻功能的STRONG系列、EX-SMART系列）增加以太網接口，支持TCP/IP協議與視頻傳輸，可通過電腦遠程設置參數、查看溫度曲線與視頻畫面，為智能化生產提供關鍵感知數據。思捷測溫儀有綠色 LED、目鏡、視頻 + 目鏡 3 種瞄準方式。

相較于接觸式測溫儀，思捷光電紅外測溫儀優勢明顯。無需與被測物體接觸，規避了對高溫、高壓、高腐蝕等危險目標測量時的安全風險，也不會干擾被測物體溫度場，像測量高溫熔爐內物料溫度，接觸式測溫儀難以企及。且響應速度快，毫秒級出結果，在快速變化的溫度環境或動態生產線中，能及時捕捉溫度數據，為生產調控爭取時間，而接觸式測溫儀則需較長時間熱平衡，效率遠不及紅外測溫儀。思捷光電紅外測溫儀設計人性化，操作簡單，即使非專業人員也能快速上手。一鍵操作即可啟動測量，顯示屏清晰直觀呈現溫度數值。日常使用時，需注意保持鏡頭清潔，配備的清潔布可輕松去除污漬，保障測量準確。測量時按規范調整距離與角度，確保目標完全覆蓋測量光斑。針對不同材質被測物，可便捷調整發射率參數，從而獲取準確溫度數據，為用戶提供可靠測量體驗。雙色與單色模式可切換，讓一臺紅外測溫儀適配多種場景。天津紅外測溫儀

鋼化玻璃生產，紅外測溫儀監控淬火溫度。雙色紅外測溫儀價格

光伏單晶硅生產中，從鑄錠、拉晶到切片，溫度控制直接影響硅料純度與晶體結構，進而決定光伏組件轉換效率。思捷光電針對單晶硅生產全流程，提供多系列紅外測溫儀解決方案，覆蓋各關鍵環節。單晶硅鑄錠爐（800℃~1600℃）采用STRONG-SR-6016雙色測溫儀，60:1距離系數適配爐體結構，雙色模式不受爐內硅蒸汽與石墨粉塵干擾，測量精度±0.5%T，確保鑄錠過程溫度均勻，減少硅料浪費。單晶爐拉晶環節（1400℃~2000℃）選用MARS-G-3530單色測溫儀（獲“常州市高新技術產品”認定，編號202304JK004），InGaAs探測器適配中高溫段，100:1距離系數準確測量硅熔體界面溫度，5ms響應捕捉拉晶速度變化時的溫度波動，保障晶體生長穩定。晶圓加工的薄膜沉積工藝（300℃~800℃）則用STRONG-GR-2512，250℃~1200℃量程適配低溫段，窄帶紅外濾片減少薄膜材料發射率變化影響。整套方案支持數據存儲與曲線分析，某光伏企業應用后，單晶硅片轉換效率提升0.3%，原料損耗降低2.5%。雙色紅外測溫儀價格