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邊緣光刻膠的去除光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得到很好的圖形，而且容易發生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法：a、化學的方法（Chemical EBR）。軟烘后，用PGMEA或...

安提基特拉機械以其小型化和其部分裝置的復雜性可與19世紀機械鐘表相比而聞名。它有超過30個齒輪，雖然麥可·萊特認為它可多達72個有正三角形齒的齒輪。當借由一個曲柄輸入一個日期，該機械就可算出日月或行星等其他天**置。因為該機械是以地球表面觀測天球者為參考座標，...

光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方...

b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。1970后適用，但是其最大分辨率*為2～4μm。c、投影式曝光（Proj...

糾偏裝置（Deviation rectifying device）是由美國美塞斯公司旗下FIFE品牌于1898年發明的機械裝置，主要用于修正卷材在傳輸過程中產生的橫向偏移。作為工業生產中的基礎設備，其通過傳感器檢測與驅動系統聯動形成閉環控制，支持跟邊、對中、跟...

6、開車前要注意潤滑，取下沖床上的一切浮放物品。7、沖床取動時或運轉沖制中，操作者站立要恰當，手和頭部應與沖床保持一定的距離，并時刻注意沖頭動作，嚴禁與他人閑談。8、沖制短小工件時，應用專門工具，不得用手直接送料或取件。9、沖制或長體零件時，應設制安全托料架或...

糾偏裝置（Deviation rectifying device）是由美國美塞斯公司旗下FIFE品牌于1898年發明的機械裝置，主要用于修正卷材在傳輸過程中產生的橫向偏移。作為工業生產中的基礎設備，其通過傳感器檢測與驅動系統聯動形成閉環控制，支持跟邊、對中、跟...

校準的基本要求校準應滿足的基本要求如下：1.環境條件校準如在檢定(校準)室進行，則環境條件應滿足實驗室要求的溫度、濕度等規定。校準如在現場進行，則環境條件以能滿足儀表現場使用的條件為準。2.儀器作為校準用的標準儀器其誤差限應是被校表誤差限的1/3~1/10。3...

制造掩模版，比較靈活。但由于其曝光效率低，主要用于實驗室小樣品納米制造。而電子束曝光要適應大批量生產，如何進一步提高曝光速度是個難題。為了解決電子束光刻的效率問題，通常將其與其他光刻技術配合使用。例如為解決曝光效率問題，通常采用電子束光刻與光學光刻進行匹配與混...

后烘方法：熱板，110～130C,1分鐘。目的：a、減少駐波效應；b、激發化學增強光刻膠的PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。顯影方法：a、整盒硅片浸沒式顯影（Batch Development）。缺點：顯影液消耗很大；顯影...

在曝光過程中，需要對不同的參數和可能缺陷進行跟蹤和控制，會用到檢測控制芯片/控片（Monitor Chip）。根據不同的檢測控制對象，可以分為以下幾種：a、顆粒控片（Particle MC）：用于芯片上微小顆粒的監控，使用前其顆粒數應小于10顆；b、卡盤顆粒控...

光刻技術是現代集成電路設計上一個比較大的瓶頸。現cpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統來實現的，但是因受到波長的影響還在這個技術上有所突破是十分困難的，但是如采用EUV光刻技術就會很好的解決此問題，很可能會使該領域帶來一次飛躍。但是涉...

●高剛性高剛性、高精密的構架，采用鋼板焊接，并經熱處理、消除床身內應力。●重心平衡1．傳動中心與機器整體的中心趨于一致，確保沖壓的精確、穩定。●操作穩定、安全離合器/剎車器裝置高度靈敏，再加國際前列的雙聯電磁閥和過負荷保護裝置，確保沖床滑塊運轉及停止的精確性與...

攝影者也許會有這樣的體會：在照相機上裝上一個遠攝鏡頭并從單鏡頭反光照相機取景器中觀察，竟一時無法想象充盈于取景器畫面的景象在何方位，不得已，只好將眼睛離開照相機取景目鏡眺望實景，方搞清楚原來是鏡頭視野太窄，它所“見”到的只是人眼通常所見到的畫面中相當小的一部分...

優點雖然使用長焦距鏡頭要受到不少因素的影響，但其優點卻是主要的。在遠距離拍攝風光、人物，在看臺拍攝舞臺、體育比賽等，在動物園拍攝動物，在野外拍攝禽獸，加輔助鏡進行近拍等等，在這些眾多的領域中，無處不是它的用武之地。在一般情況下拍攝，為了保持照相機的穩定，比較好...

前方的轉盤可能至少有三個指針，***個指針指示日期，另外兩個則分別指示太陽和月球位置。月球的指針已被調整過**月球軌道的變化，因此相信太陽的指針也有過類似的調整，但相關機制的齒輪（如有）已經不存。前方轉盤的第二個功能則是有一個月球的球形，做為月相指示。該機械上...

極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常稱作EUV光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然后放射出紫外線。極紫外光刻（英語：Extrem...

19.超負荷保護裝置之油路清潔,油室清洗,油品換新及壓力動作與功能測試調整.20.主馬達V型皮帶磨耗及張力狀況檢查,調整.21.離剎機構各部件拆卸分解(飛輪不含)清潔保養,間隙檢查調整及裝復調試.22.平衡器另部件拆卸分解,清潔檢查及裝復調試.C.每使用600...

其主要成像原理是光波波長為10～14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上，通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統，將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，形成集成電路制造所需要的...

攝影者也許會有這樣的體會：在照相機上裝上一個遠攝鏡頭并從單鏡頭反光照相機取景器中觀察，竟一時無法想象充盈于取景器畫面的景象在何方位，不得已，只好將眼睛離開照相機取景目鏡眺望實景，方搞清楚原來是鏡頭視野太窄，它所“見”到的只是人眼通常所見到的畫面中相當小的一部分...

按接口C型鏡頭法蘭焦距是安裝法蘭到入射鏡頭平行光的匯聚點之間的距離。法蘭焦距為17.526mm或0.690in。安裝羅紋為：直徑1in，32牙.in。鏡頭可以用在長度為0.512in (13mm)以內的線陣傳感器。但是，由于幾何變形和市場角特性，必須鑒別短焦鏡...

使用長焦鏡頭拍攝時，測光比較好采用機內TTL測光方式。因為，普通的入射式或反射式測光表的受光角往往大于鏡頭視角，直接按測光表數值曝光會出現偏差 [6]。1、使用較高快門速度高速快門可以降低或避免相機抖動造成的圖像發虛。尤其是手持相機時，應首先考慮通過提高快門速...

按接口C型鏡頭法蘭焦距是安裝法蘭到入射鏡頭平行光的匯聚點之間的距離。法蘭焦距為17.526mm或0.690in。安裝羅紋為：直徑1in，32牙.in。鏡頭可以用在長度為0.512in (13mm)以內的線陣傳感器。但是，由于幾何變形和市場角特性，必須鑒別短焦鏡...

手動光圈定焦鏡頭手動光圈定焦鏡頭比固定光圈定焦鏡頭增加了光圈調整環，光圈范圍一般從F1.2或F1.4到全關閉，能方便地適應被被攝現場地光照度，光圈調整是通過手動人為進行的。光照度比較均勻，價格較便宜。自動光圈定焦鏡頭在手動光圈定焦鏡頭的光圈調整環上增加一個齒輪...

我們建議攝影入門用戶在攝影學習階段，除了相機上已經配備的套裝鏡頭之外，不必再購買任何鏡頭。以后成為“高手”時，再考慮較長焦距的鏡頭。即使到那時，除非對遠攝鏡頭具有特殊的需求，并且資金也不成問題，否則我們建議不要考慮超過200mm的任何鏡頭。如果偶爾需要遠攝鏡頭...

浸沒式光刻機是通過在物鏡與晶圓之間注入超純水，等效縮短光源波長并提升數值孔徑，從而實現更高分辨率的半導體制造**設備。2024年9月工信部文件顯示，國產氟化氬浸沒式光刻機套刻精度已達到≤8nm水平。該技術研發涉及浸液系統、光學控制等多項復雜工藝，林本堅團隊在浸...

1902年5月17日，考古學家維拉理奧斯·史大理斯檢查發現的沉船中物品時發現一個齒輪嵌在一塊巖石中。 [1]史大理斯一開始認為這是天文鐘，但多數學者認為這是時代錯誤，這物品和同時期發現的其他東西相較之下太過復雜。對該物品調查的熱潮很快下降，直到1951年英國物...

光學鏡頭是機器視覺系統中必不可少的部件，直接影響成像質量的優劣，影響算法的實現和效果。光學鏡頭從焦距上可分為短焦鏡頭、中焦鏡頭，長焦鏡頭；從視場大小分為廣角、標準，遠攝鏡頭；從結構上分為固定光圈定焦鏡頭，手動光圈定焦鏡頭，自動光圈定焦鏡頭，手動變焦鏡頭、自動變...

01:50光刻機為什么難造？看看他的黑科技！提高光刻技術分辨率的傳統方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代，極紫外光刻技術就已經開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14...

遠攝鏡頭也稱為長焦距鏡頭，是指比標準鏡頭的焦距長的攝影鏡頭。長焦距鏡頭分為普通遠攝鏡頭和超遠攝鏡頭兩類，普通遠攝鏡頭的焦距長度接近標準鏡頭，而超遠攝鏡頭的焦距卻遠遠大于標準鏡頭。遠攝鏡頭是攝影輔助鏡頭的一種。鏡頭主焦距***地大于底片對角線長度(即大于標準鏡頭...