技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種閃存htol測試方法，以解決閃存htol測試中讀點失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。進一步的，所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極和漏極，位于所述導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵，所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻。 上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,節(jié)省更多時間、FA成本。靜安區(qū)HTOL測試機怎么用
發(fā)明人檢查失效的原因，發(fā)現(xiàn)讀點失效為讀“0”失效，并且進一步研究發(fā)現(xiàn)閃存參考單元的輸出電流iref在48小時的測試值iref1與在初始的測試值iref0之間有偏移，具體偏移量經(jīng)測試統(tǒng)計在4μa以內(nèi)，而且iref1＜iref0，即48小時后iref往電流變小的方向偏移。閃存測試中，若iref＞i，則讀出“0”(即閃存讀“0”操作時，iref＞i)。閃存判斷讀“0”的具體操作過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷。當(dāng)差值變?nèi)醯接勺x出放大器無法進行識別時，讀“0”失效。當(dāng)htol可靠性驗證經(jīng)過***時間點例如48小時后，由于閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移即iref變小，如此一來，閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值變小，超出讀出放大器識別范圍，于是讀“0”失效。測試發(fā)現(xiàn)經(jīng)48小時閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移后，進一步做htol測試，閃存參考單元的輸出電流iref在第三時間點例如168小時,第四時間點例如500小時,第五時間點例如1000小時測試均不會進一步偏移。如何選HTOL測試機專賣TH801智能老化系統(tǒng)，實時參數(shù)正態(tài)分布圖，散點圖等分析數(shù)據(jù)，有利于分析芯片性能參數(shù)。
高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測試方案，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可以實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技有限公司自成立以來，已經(jīng)為超過500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！
高溫工作壽命實驗（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）測試目的：芯片處于高溫條件下，加入動態(tài)信號，并長時間工作，以評估其使用壽命，并確定其可靠性。測試條件：結(jié)溫(Tj)≧125℃，電壓Vcc≧Vccmax，測試時間：1000hrs樣品數(shù)：77ea/lot,3lots測試讀點：168、500、1000hrs參考規(guī)范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作壽命試驗、老化試驗(OperatingLifeTest)，為利用溫度、電壓加速方式，在短時間試驗內(nèi)，預(yù)估芯片在長時間可工作下的壽命時間(生命周期預(yù)估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：評估早夭階段的故障率或藉由BI手法降低出貨的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，針對失效模式中的InfantMortality，一般測試低于48小時，車規(guī)級芯片需要100%BI測試。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：評估可使用期的壽命時間-FIT/MTTF，針對失效模式中的Wearout，一般需要測試1000小時，屬于抽樣測試。 上海頂策科技有限公司智能HTOL測試機TH801有全程數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。
htonl()簡述：將主機的無符號長整形數(shù)轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序。#include<arpa/(uint32_thostlong);hostlong：主機字節(jié)順序表達(dá)的32位數(shù)。注釋：本函數(shù)將一個32位數(shù)從主機字節(jié)順序轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序。返回值：htonl()返回一個網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序的值。參見：htons(),ntohl(),ntohs().在Linux系統(tǒng)下：#include<arpa/(uint32_thostlong);相關(guān)函數(shù)：uint16_thtons(uint16_thostshort);uint32_tntohl(uint32_tnetlong);uint16_tntohs(uint16_tnetshort);網(wǎng)際協(xié)議在處理這些多字節(jié)整數(shù)時，使用大端字節(jié)序。在主機本身就使用大端字節(jié)序時，這些函數(shù)通常被定義為空宏?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「gocpplua」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。 上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量。江蘇HTOL測試機大概費用
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包括：將所述源極101和漏極102均懸空，在所述控制柵106上施加***擦除電壓vc1，在所述襯底100上施加第二擦除電壓vc2；其中，所述***擦除電壓vc1為負(fù)電壓，所述第二擦除電壓vc2為正電壓。所述***擦除電壓vc1的范圍為-10v～-8v，本實施例中例如為-9v；所述第二擦除電壓vc2的范圍為8v～10v，本實施例中例如為9v；擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。本實施例中，閃存參考單元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(簡稱為fn隧穿)，通過在襯底100上施加正電壓，在控制柵106上施加負(fù)電壓，以在隧穿氧化層103中注入空穴，同時減少浮柵104中的電子。靜安區(qū)HTOL測試機怎么用