高效率HTOL自研設(shè)備，高質(zhì)量HTOL品質(zhì)保障，低成本HTOL測試方案。上海頂策科技有限公司TH801智能一體化老化測試機(jī)，自主研發(fā)在線實(shí)時單顆監(jiān)測技術(shù)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可以實(shí)時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性；有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心。可靠性測試事業(yè)部提供可靠性測試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測試試驗(yàn)，可以滿足各類芯片可靠性測試需求。上海頂策科技自主研發(fā)智能HTOL測試機(jī)TH801，實(shí)時監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。松江區(qū)HTOL測試機(jī)怎么用

上海頂策科技有限公司（Topictest）推出的TH801，智能在線監(jiān)控動態(tài)老化設(shè)備，可以監(jiān)控的參數(shù)除了整板的電壓，電流，還可以根據(jù)需求，監(jiān)控到老化中每顆芯片的電壓、電流，寄存器數(shù)據(jù)，時間，頻率等諸多參數(shù)，并實(shí)時記錄保存成Excel文檔。這樣不僅可以確保每顆芯片都處于正常的老化狀態(tài)，保證老化測試的質(zhì)量，同時還可以清楚地知道具體失效的參數(shù)，以及在什么時間點(diǎn)失效等諸多信息，非常有益于失效后的FA分析。另外由于可以監(jiān)控更多芯片參數(shù)，這使得免除ATE回測成為可能，這將大幅度提高老化測試效率，節(jié)省更多人力成本！這項(xiàng)技術(shù)目前已在對芯片質(zhì)量要求較高的芯片設(shè)計(jì)公司廣泛應(yīng)用。寶山區(qū)什么是HTOL測試機(jī)上海頂策科技的HTOL測試機(jī)TH801，自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實(shí)時單顆監(jiān)測技術(shù)。

    1.試驗(yàn)?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時間的影響。試驗(yàn)可以加速地模擬器件的運(yùn)行狀態(tài)，主要用于器件的可靠性測試。本實(shí)驗(yàn)在較短時間內(nèi)對器件施加高溫偏置，通常也被稱為老化或老煉。，這些器件隨著時間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法，這些器件隨著時間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。

芯片HTOL測試如何做到省力省心？上海頂策科技有限公司，提供可靠性測試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實(shí)時單顆監(jiān)測技術(shù)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號，非常方便HTOLSetup，實(shí)時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，以及每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)。TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。

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上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，擁有智能動態(tài)在線實(shí)時檢測技術(shù)，同時一體化結(jié)合ATE與高溫老化爐。松江區(qū)HTOL測試機(jī)怎么用

在每個時間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點(diǎn)失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖；松江區(qū)HTOL測試機(jī)怎么用