光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。它的**部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結的結深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時，反向電流很小（一般小于0.1微安），稱為暗電流。當有光照時，攜帶能量的光子進入PN結后，把能量傳給共價鍵上的束縛電子，使部分電子掙脫共價鍵，從而產生電子---空穴對，稱為光生載流子。它們在反向電壓作用下參加漂移運動，使反向電流明顯變大，光的強度越大，反向電流也越大。這種特性稱為“光電導”。光敏二極管在一般照度的光線照射下，所產生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。上海銷售二極管設計

高傳導點接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 在開關電源中,所需的整流二極管必須具有正向壓降低,快速恢復的特點,還應具有足夠的輸出功率,可以使用1.高效快速恢復二極管;2高效超快速二極管;3肖特基勢壘整流二極管.快速恢復和超快速恢復二極管具有適中的和較高的正向壓降,其范圍是從0.8---1.2v.這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數.因此,它們特別適合于在輸入小功率,電壓在12v左右的輔助電源電路中使用。上海銷售二極管設計為了保證使用安全，規定了最高反向工作電壓值。

觸發二極管又稱雙向觸發二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只NPN晶體管如圖4連接來替代。觸發二極管雙向觸發二極管正、反向伏安特性幾乎完全對稱（見圖5；注意電壓是標量，電流是矢量）。當器件兩端所加電壓U低于正向轉折電壓V（B0）時，器件呈高阻態。當U>V(B0)時，管子擊穿導通進入負阻區。同樣當U小于反向轉折電壓V（BR）時，管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V（B）表示。

對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏 [4]。正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。 [4]種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 [5]PN結形成原理P型和N型半導體P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。不同類型的二極管有不同的特性參數。奉賢區進口二極管費用

二極管具有單向導電性能，導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。上海銷售二極管設計

無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產品或工業控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3]。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。 [4]采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。 [4]圖1 各種二極管的符號由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。 [4]上海銷售二極管設計

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