晶間腐蝕是什么？以晶間腐蝕為起源，在應(yīng)力和介質(zhì)的共同作用下，可使不銹鋼、鋁合金等誘發(fā)晶間應(yīng)力腐蝕，所以晶間腐蝕有時是應(yīng)力腐蝕的先導(dǎo)，在通常腐蝕條件下，鈍化合金組織中的晶界活性不大，但當(dāng)它具有晶間腐蝕的敏感性時，晶間活性很大，即晶格粒與晶界之間存在著一定的電位差，這主要是合金在受熱不當(dāng)時，組織發(fā)生改變而引起的。所以晶間腐蝕是一種由組織電化學(xué)不均勻性引起的局部腐蝕蝕。此外晶界存在雜質(zhì)時，在一定介質(zhì)也也會引起晶間腐蝕。電解拋光腐蝕，可控制樣品的拋光/腐蝕面積（樣品罩開孔直徑15mm，20mm，30mm）。江蘇電解腐蝕制造廠商

晶間腐蝕試驗 (intergranular corrosion test)，在特定介質(zhì)條件下檢驗金屬材料晶間腐蝕敏感性的加速金屬腐蝕試驗方法，目的是為了了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理。其原理是采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗溶液，然后利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的明顯的差異加速顯示晶間腐蝕，不銹鋼、鋁合金等的晶間腐蝕試驗方法在許多國家均已標(biāo)準(zhǔn)化。各標(biāo)準(zhǔn)對試驗細節(jié)均有詳細規(guī)定。江蘇電解腐蝕制造廠商低倍組織熱酸蝕腐蝕，封閉的酸蝕槽確保腐蝕溶液的揮發(fā)對環(huán)境的污染和人體的傷害。

晶間腐蝕，貧化理論：對于奧氏體不銹鋼等合金，在一定條件下，晶界會析出第二相，導(dǎo)致晶界附近某種成分出現(xiàn)貧乏化。以奧氏體不銹鋼為例，具體過程如下：碳化物析出：當(dāng)溫度升高時，碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴散速度大于鉻的擴散速度。室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值，多余的碳會不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散，并和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如等。貧鉻區(qū)形成：鉻沿晶界擴散的速度比在晶粒內(nèi)擴散速度快，但由于碳化鉻形成速度較快，內(nèi)部的鉻來不及向晶界擴散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來自晶界附近，結(jié)果使晶界附近的含鉻量大為減少。當(dāng)晶界的鉻的質(zhì)量分?jǐn)?shù)低到小于時，就形成 “貧鉻區(qū)”。

電解拋光腐蝕原理，關(guān)于電解拋光原理的爭論很多，被公認(rèn)的主要為薄膜理論。薄膜理論解釋的電解拋光過程是:電解拋光時，靠近試樣陽極表面的電解液，在試樣上隨著表面的凸凹不平形成了一層薄厚不均勻的黏性薄膜，這種薄膜在工件的凸起處較薄，凹處較厚，此薄膜具有很高的電阻，因凸起處薄膜薄而電阻小，電流密度高而溶解快;凹處薄膜厚而電阻大，電流密度低而溶解慢，由于溶解速度的不同，凹凸不斷變化，粗糙表面逐漸被平整，然后形成光亮平滑的拋光面。電解拋光過程的關(guān)鍵是形成穩(wěn)定的薄膜，而薄膜的穩(wěn)定與拋光材料的性質(zhì)、電解液的種類、拋光時的電壓大小和電流密度都密切相關(guān)。根據(jù)實驗得出的電壓和電流的關(guān)系曲線稱為電解拋光特性曲線，根據(jù)它可以決定合適的電解拋光規(guī)范。電解拋光腐蝕，用戶的計算機可直接讀取所有歷史數(shù)據(jù)，可對所有數(shù)據(jù)進行分析、存檔、打印處理。

晶間腐蝕，評估材料耐用性：在材料研發(fā)和生產(chǎn)過程中，幫助工程師評估材料抵抗晶間腐蝕的能力，預(yù)測材料在實際使用環(huán)境中的耐用性和使用壽命。對于一些在惡劣環(huán)境下使用的關(guān)鍵材料，如在高溫、高濕度或強腐蝕性介質(zhì)中工作的金屬材料，通過晶間腐蝕儀的測試，可以提前了解材料的耐腐蝕性能，確保材料在服役期間不會因晶間腐蝕而失效，晶間腐蝕儀是于評價材料晶間腐蝕性能的儀器。，晶間腐蝕是一種局部腐蝕，主要發(fā)生在金屬材料的晶粒間界區(qū)，沿著晶界發(fā)展。低倍加熱腐蝕消 除了低倍組織制樣過程的不確定性，提高低倍組織制樣的重復(fù)性。浙江金屬拋光腐蝕廠家批發(fā)

低倍組織熱酸蝕腐蝕消 除了低倍組織制樣過程的不確定性，提高低倍組織制樣的重復(fù)性。江蘇電解腐蝕制造廠商

電解拋光腐蝕，顯示鋼的顯微組織的電解浸蝕劑及電解拋光液表