針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優(yōu)普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩(wěn)定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在DISCO-DFG8640減薄機的實際應用中，優(yōu)普納砂輪對6吋SiC線割片進行粗磨，磨耗比11%，Ra≤30nm TTV≤3μm。第三代砂輪發(fā)展趨勢

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其高精度加工能力成為第三代半導體材料加工的理想選擇。其專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑和多孔顯微組織調控技術，賦予了砂輪優(yōu)越的穩(wěn)定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業(yè)先進水平。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優(yōu)普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。氮化鎵砂輪供應商在8吋SiC線割片的精磨案例中，優(yōu)普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現磨耗比200%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

隨著半導體行業(yè)的快速發(fā)展，超薄晶圓的需求持續(xù)增長。這對襯底粗磨減薄砂輪提出了更高的挑戰(zhàn)。江蘇優(yōu)普納科技有限公司緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，致力于研發(fā)更先進的砂輪技術和制造工藝。我們通過與高校、科研機構的合作，不斷探索新的磨料、結合劑和制備技術，以提高砂輪的磨削效率和加工質量。同時，我們還注重環(huán)保型砂輪的研發(fā)和推廣，積極響應國家對于綠色制造的號召。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。

優(yōu)普納的多孔砂輪顯微組織調控技術，通過優(yōu)化砂輪內部孔隙率與分布，大幅提升冷卻液滲透效率，解決傳統(tǒng)砂輪因散熱不足導致的晶圓微裂紋問題。在東京精密HRG200X設備上，6吋SiC晶圓粗磨時，砂輪磨耗比只15%，且加工過程中溫升降低40%，表面粗糙度穩(wěn)定在Ra≤30nm。該技術不只延長砂輪壽命20%，還可適配高轉速磨床，助力客戶實現高效、低成本的批量生產。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優(yōu)普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以高精度、低損耗，成為國產碳化硅減薄砂輪市場的先行者 推動產業(yè)技術升級。

江蘇優(yōu)普納碳化硅減薄砂輪憑借超細金剛石磨粒與高自銳性設計，在第三代半導體晶圓加工中實現低損傷、低粗糙度的行業(yè)突破。以DISCO-DFG8640設備為例，精磨8吋SiC線割片時，砂輪磨耗比達200%，表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度≤2μm，完全滿足5G芯片、功率器件對晶圓平整度的嚴苛要求。對比進口砂輪，優(yōu)普納產品在相同加工條件下可減少磨削熱損傷30%，明顯提升晶圓良率，尤其適用于新能源汽車電驅模塊等高附加值領域。歡迎您的隨時致電咨詢。優(yōu)普納砂輪的低損耗特性，不僅延長了產品的使用壽命，還減少加工過程中的材料浪費，為客戶帶來成本節(jié)約。半導體砂輪合作

優(yōu)普納砂輪的低磨耗比優(yōu)勢，不僅降低客戶成本，還保證加工后的晶圓表面質量，是高性價比的國產化替代方案。第三代砂輪發(fā)展趨勢

在半導體制造領域，晶圓襯底的材質多種多樣，包括單晶硅、多晶體、藍寶石、陶瓷等。不同材質的晶圓對襯底粗磨減薄砂輪的要求也不同。江蘇優(yōu)普納科技有限公司擁有豐富的砂輪制造經驗和技術實力，能夠根據客戶的具體需求，提供定制化的砂輪解決方案。無論是硬度較高的碳化硅晶圓，還是脆性較大的氮化鎵晶圓，我們都能提供合適的砂輪，確保在粗磨過程中獲得更佳的加工效果。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。第三代砂輪發(fā)展趨勢