9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數情況下并不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。新吳區標準集成電路廠家價格

MCM－D是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導體廠家采用的名稱。29、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美國聯合電子設備委員會）標準對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標準QFP（見QFP）。30、MQUAD（metal quad）徐州標準集成電路銷售廠家小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導導體廠家采用此名稱。

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。

QUIP的別稱（見QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板。是比標準DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產品等的微機芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。

56、SIP（single in-line package）單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2至23，多數為定制產品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP相同的封裝稱為SIP。57、SK－DIP（skinny dual in-line package）DIP的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統稱為DIP（見DIP）。58、SL－DIP（slim dual in-line package）DIP的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統稱為DIP。59、SMD（surface mount devices）集成電路按制作工藝可分為半導體集成電路和膜集成電路。梁溪區本地集成電路市價

模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。新吳區標準集成電路廠家價格

3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。5.計算機集成電路，包括**控制單元（CPU）、內存儲器、外存儲器、I/O控制電路等。6.通信集成電路7.專業控制集成電路按應用領域分集成電路按應用領域可分為標準通用集成電路和**集成電路。新吳區標準集成電路廠家價格

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