42、QFJ（quad flat J-leaded package）四側(cè)J形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈J字形。是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ多數(shù)情況稱為PLCC（見PLCC），用于微機(jī)、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18至84。陶瓷QFJ也稱為CLCC、JLCC（見CLCC）。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32至84。43、QFN（quad flat non-leaded package）集成電路四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。90年代后期多稱為L(zhǎng)CC。QFN是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。南京節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

9、DIL（dual in-line）DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。10、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是**普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip（見cerdip）。常州常見集成電路生產(chǎn)廠家DIP是普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。

集成度高低集成電路按集成度高低的不同可分為：SSIC 小規(guī)模集成電路（Small Scale Integrated circuits）MSIC 中規(guī)模集成電路（Medium Scale Integrated circuits）LSIC 大規(guī)模集成電路（Large Scale Integrated circuits）VLSIC 超大規(guī)模集成電路（Very Large Scale Integrated circuits）ULSIC特大規(guī)模集成電路（Ultra Large Scale Integrated circuits）GSIC 巨大規(guī)模集成電路也被稱作極大規(guī)模集成電路或超特大規(guī)模集成電路（Giga Scale Integration）。導(dǎo)電類型不同

2025年將持續(xù)推進(jìn)集成電路領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制。 [5]2025年2月28日，國(guó)家統(tǒng)計(jì)局消息：2024年集成電路產(chǎn)量4514.2億塊，比上年增長(zhǎng)22.2%。集成電路出口數(shù)量2981億個(gè)，比上年增長(zhǎng)11.6%，出口金額11352億元，比上年增長(zhǎng)18.7%。集成電路進(jìn)口數(shù)量5492億個(gè)，比上年增長(zhǎng)14.6%，進(jìn)口金額27445億元，比上年增長(zhǎng)11.7%。 [7]2025年8月14日，國(guó)家發(fā)展**委黨組成員、國(guó)家數(shù)據(jù)局局長(zhǎng)劉烈宏在國(guó)新辦舉行的“高質(zhì)量完成‘十四五’規(guī)劃”系列主題新聞發(fā)布會(huì)上介紹，集成電路加快布局，形成覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、裝備材料的完整產(chǎn)業(yè)鏈。 [9焊接時(shí)確實(shí)焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。

MCM－D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。29、MQFP（metric quad flat package）按照J(rèn)EDEC（美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標(biāo)準(zhǔn)QFP（見QFP）。30、MQUAD（metal quad）用集成電路來裝配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也可提高。常州本地集成電路生產(chǎn)廠家

集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。南京節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

這就是初期集成電路的構(gòu)想，晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能，1947年在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出來了***個(gè)晶體管，而在此之前要實(shí)現(xiàn)電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結(jié)構(gòu)脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點(diǎn)，因此在晶體管發(fā)明后，很快就出現(xiàn)了基于半導(dǎo)體的集成電路的構(gòu)想，也就很快發(fā)明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。南京節(jié)能集成電路廠家供應(yīng)

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