使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。集成電路發明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。江陰質量集成電路銷售廠家

11、DSO（dual small out-lint）雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導體廠家采用此名稱。12、DICP（dual tape carrier package）集成電路雙側引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機械工業）會標準規定，將DICP命名為DTP。徐州好的集成電路廠家現貨集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型和雙列直插型。

這就是初期集成電路的構想，晶體管的發明使這種想法成為了可能，1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管，而在此之前要實現電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結構脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點，因此在晶體管發明后，很快就出現了基于半導體的集成電路的構想，也就很快發明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發明了鍺集成電路和硅集成電路。

2、BQFP（quad flat package with bumper）帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起（緩沖墊）以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84到196左右（見QFP）。3、C－（ceramic）表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。4、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP（數字信號處理器）等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G（G即玻璃密封的意思）。J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導體廠家采用的名稱。

表面貼裝器件。偶而，有的半導體廠家把SOP歸為SMD（見SOP）。SOP的別稱。世界上很多半導體廠家都采用此別稱。（見SOP）。60、SOI（small out-line I-leaded package）I形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I字形，中心距1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC（電機驅動用IC）中采用了此封裝。引腳數26。61、SOIC（small out-line integrated circuit）SOP的別稱（見SOP）。國外有許多半導體廠家采用此名稱。62、SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。宜興名優集成電路生產廠家

觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。江陰質量集成電路銷售廠家

外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。江陰質量集成電路銷售廠家

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