這就是初期集成電路的構想,晶體管的發明使這種想法成為了可能,1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管,而在此之前要實現電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結構脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能,并且克服了電子管的上述缺點,因此在晶體管發明后,很快就出現了基于半導體的集成電路的構想,也就很快發明出來了集成電路。杰克·基爾比(Jack Kilby)和羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)在1958~1959期間分別發明了鍺集成電路和硅集成電路。雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,80年代后期已基本上不用。江陰節能集成電路服務熱線

21、JLCC(J-leaded chip carrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。22、LCC(Leadless chip carrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。23、LGA(land grid array)觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?,F已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,應用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。宜興好的集成電路銷售方法用集成電路來裝配電子設備,其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍,設備的穩定工作時間也可提高。

另外,有的LSI廠家把引腳中心距為0.5mm的QFP專門稱為收縮型QFP或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm及0.4mm的QFP也稱為SQFP,至使名稱稍有一些混亂。QFP的缺點是,當引腳中心距小于0.65mm時,引腳容易彎曲。為了防止引腳變形,現已出現了幾種改進的QFP品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP);帶樹脂保護環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP);在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的**夾具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。在邏輯LSI方面,不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP里。引腳中心距**小為0.4mm、引腳數**多為348的產品也已問世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。
美國Olin公司開發的一種QFP封裝?;迮c封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W~2.8W的功率。日本新光電氣工業公司于1993年獲得特許開始生產。31、MSP(mini square package)QFI的別稱(見QFI),在開發初期多稱為MSP。QFI是日本電子機械工業會規定的名稱。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見BGA)。32、P-(plastic)表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC(pad array carrier)前述將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。

5、要保證焊接質量焊接時確實焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應用內熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細查看,比較好用歐姆表測量各引腳間有否短路,確認無焊錫粘連現象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數為直接耦合,一旦某一電路不正常,可能會導致多處電壓變化,而這些變化不一定是集成電路損壞引起的,另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時,也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。蘇州質量集成電路廠家供應
引腳中心距0.635mm,引腳數從84到196左右(見QFP)。江陰節能集成電路服務熱線
集成電路,英文為Integrated Circuit,縮寫為IC;顧名思義,就是把一定數量的常用電子元件,如電阻、電容、晶體管等,以及這些元件之間的連線,通過半導體工藝集成在一起的具有特定功能的電路。是20世紀50年代后期到60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體制造工藝,把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上,然后焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術包括芯片制造技術與設計技術,主要體現加工設備,加工工藝,封裝測試,批量生產及設計創新的能力上。江陰節能集成電路服務熱線
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