這就是初期集成電路的構想,晶體管的發明使這種想法成為了可能,1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管,而在此之前要實現電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結構脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能,并且克服了電子管的上述缺點,因此在晶體管發明后,很快就出現了基于半導體的集成電路的構想,也就很快發明出來了集成電路。杰克·基爾比(Jack Kilby)和羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)在1958~1959期間分別發明了鍺集成電路和硅集成電路。按其功能、結構的不同,可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/模混合集成電路三大類。濱湖區節能集成電路生產廠家

后來,到了城市里,或者鄉村城鎮化,大家都住進了樓房或者套房,一套房里面,有客廳、臥室、廚房、衛生間、陽臺,也許只有幾十平方米,卻具有了原來占地幾百平方米的農村房屋的各種功能,這就是集成。當然現如今的集成電路,其集成度遠非一套房能比擬的,或許用一幢摩登大樓可以更好地類比:地面上有商鋪、辦公、食堂、酒店式公寓,地下有幾層是停車場,停車場下面還有地基——這是集成電路的布局,模擬電路和數字電路分開,處理小信號的敏感電路與翻轉頻繁的控制邏輯分開,電源單獨放在一角。濱湖區節能集成電路生產廠家觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。

16、FQFP(fine pitch quad flat package)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。17、CPAC(globe top pad array carrier)美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。18、CQFP(quad fiat package with guard ring)帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP之一,引腳用樹脂保護環掩蔽,以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前,從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產。引腳中心距0.5mm,引腳數**多為208左右。
使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件,然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線,如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量,導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成,每層由圖像技術定義,通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層(成為擴散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合構成。集成電路發明者為杰克·基爾比(基于鍺(Ge)的集成電路)和羅伯特·諾伊斯(基于硅(Si)的集成電路)。

外,由于引線的阻抗小,對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜,成本高,90年代基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。24、LOC(lead on chip)芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結構,芯片的中心附近制作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。焊接時確實焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。宜興好的集成電路銷售方法
表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。濱湖區節能集成電路生產廠家
MCM-D是用薄膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的,但成本也高。28、MFP(mini flat package)小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱(見SOP和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。29、MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm~2.0mm的標準QFP(見QFP)。30、MQUAD(metal quad)濱湖區節能集成電路生產廠家
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