65、SOP（small Out-Line package）小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀（L字形）。材料有塑料和陶瓷兩種。另外也叫SOL和DFP。SOP除了用于存儲器LSI外，也***用于規模不太大的ASSP等電路。在輸入輸出端子不超過10～40的領域，SOP是普及**廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從8～44。另外，引腳中心距小于1.27mm的SOP也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm的SOP也稱為TSOP（見SSOP、TSOP）。還有一種帶有散熱片的SOP。66、SOW（Small Outline Package（Wide-Jype））寬體SOP。部分半導體廠家采用的名稱。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見QFN）?；萆絽^質量集成電路圖片

J形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J字形，故此得名。通常為塑料制品，多數用于DRAM和SRAM等存儲器LSI電路，但絕大部分是DRAM。用SOJ封裝的DRAM器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20至40（見SIMM）。63、SQL（Small Out-Line L-leaded package）按照JEDEC（美國聯合電子設備工程委員會）標準對SOP所采用的名稱（見SOP）。64、SONF（Small Out-Line Non-Fin）無散熱片的SOP。與通常的SOP相同。為了在功率IC封裝中表示無散熱片的區別，有意增添了NF（non-fin）標記。部分半導體廠家采用的名稱（見SOP）。蘇州本地集成電路銷售廠家功率集成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態下工作。

當沒有特別表示出材料時，多數情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規格。0.65mm中心距規格中**多引腳數為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機械工業會對QFP的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。

QUIP的別稱（見QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板。是比標準DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產品等的微機芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），測量集成電路引腳直流電壓時，應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表，對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F已開發出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型和雙列直插型。江蘇名優集成電路市價

小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導體廠家采用的名稱?；萆絽^質量集成電路圖片

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。惠山區質量集成電路圖片

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