NPN 型小功率三極管存在三個極間電容：發(fā)射結電容 Cbe、集電結電容 Cbc 和集電極 - 發(fā)射極電容 Cce，這些電容會影響三極管的高頻性能。Cbe 主要由發(fā)射結的勢壘電容和擴散電容組成，通常在幾十到幾百 pF；Cbc 數值較小（幾到幾十 pF），但因跨接在輸入與輸出端，會形成密勒效應，大幅降低電路的上限截止頻率；Cce 一般在幾 pF，對高頻影響相對較小。例如在 10MHz 以上的高頻電路中，若三極管 Cbc=10pF，密勒效應會使等效輸入電容增至數百 pF，導致信號嚴重衰減，因此高頻應用需選擇 Cbc 小的型號，如 S9018（Cbc≈2pF）。9013 三極管 TO-92 封裝時，PCM=625mW，SOT-23 封裝則為 700mW。浙江高增益NPN型晶體三極管定制

多級放大電路中，NPN 型小功率三極管的級間耦合方式有阻容耦合、直接耦合和變壓器耦合。阻容耦合通過電容傳遞交流信號，隔斷直流，適合低頻信號（如音頻），但電容體積大，不適合集成；直接耦合無耦合電容，適合低頻和直流信號，便于集成，但存在零點漂移，需加溫度補償；變壓器耦合通過變壓器傳遞信號，可實現阻抗匹配，適合高頻功率放大（如射頻電路），但體積大、成本高。例如音頻功率放大電路，前級用阻容耦合（電容 10μF），后級用變壓器耦合，匹配揚聲器阻抗（4Ω），提升輸出功率。浙江防靜電NPN型晶體三極管通信基站設備應用詢價老式礦石收音機用鍺管，因成本低，對性能要求也低。

振蕩電路是一種無需外部輸入信號就能產生交流信號的電路，NPN 型小功率晶體三極管在振蕩電路中作為放大器件，為電路提供能量，以補償振蕩過程中的能量損耗，維持振蕩的持續(xù)進行。振蕩電路的工作需要滿足相位平衡條件和幅值平衡條件，相位平衡條件是指電路的總相移為 360°（或 0°），即反饋信號的相位與輸入信號的相位相同，形成正反饋；幅值平衡條件是指放大電路的放大倍數與反饋系數的乘積大于等于 1。常見的由 NPN 型小功率三極管組成的振蕩電路有 RC 橋式振蕩電路、LC 正弦波振蕩電路等。RC 橋式振蕩電路適用于低頻信號產生，輸出信號頻率由 RC 選頻網絡決定，常用于產生音頻范圍內的正弦波信號，如函數信號發(fā)生器中的低頻信號源；LC 正弦波振蕩電路則適用于高頻信號產生，輸出信號頻率由 LC 諧振回路決定，廣泛應用于無線電通信、廣播電視等領域，用于產生載波信號或本振信號。

用萬用表檢測三極管好壞：第一步測 PN 結正向導通性，紅表筆接 B，黑表筆接 E、C，均應顯示 0.6-0.7V（硅管），若顯示 “OL” 或壓降異常，說明發(fā)射結 / 集電結損壞；第二步測反向截止性，黑表筆接 B，紅表筆接 E、C，均應顯示 “OL”，若有導通壓降，說明 PN 結反向漏電；第三步估測 β，將萬用表調至 “hFE 檔”，根據三極管類型（NPN）插入對應插槽，顯示 β 值，若 β<10 或無顯示，說明三極管放大能力失效。例如檢測 9013 管，若 B-E、B-C 正向壓降正常，反向截止，β=80-120，說明三極管完好。共射電路有截止失真，因靜態(tài)工作點低，可減小 RB 或提高 VCC 避免。

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點過低，輸入信號負半周使三極管進入截止區(qū)，輸出信號正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點過高，輸入信號正半周使三極管進入飽和區(qū)，輸出信號負半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當輸入正弦信號時，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調至 3kΩ，降低 ICQ。三極管補償法用同型號管發(fā)射結并聯，抵消參數溫度漂移。浙江高增益NPN型晶體三極管定制

低頻管如 9014，fT 約 150MHz；高頻管如 S9018，fT 可達 1GHz 以上。浙江高增益NPN型晶體三極管定制

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關系的一族曲線。輸出特性曲線通常分為三個區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時的區(qū)域，此時 IC 很小，近似為零，三極管相當于開路，一般當 VBE 小于死區(qū)電壓時，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內，發(fā)射結正向偏置、集電結反向偏置；飽和區(qū)是指當 VCE 較小時，IC 不再隨 IB 的增大而線性增大，此時 IC 達到飽和值（ICS），三極管相當于短路，飽和時的 VCE 稱為飽和壓降（VCE (sat)），小功率 NPN 型三極管的 VCE (sat) 通常在 0.1-0.3V 之間，飽和區(qū)常用于開關電路中，實現電路的導通與關斷。浙江高增益NPN型晶體三極管定制

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