極紫外（EUV）光刻膠是支撐5nm以下芯片量產的**材料，需在光子能量極高（92eV）、波長極短（13.5nm）條件下解決三大世界性難題：技術瓶頸與突破路徑挑戰根源解決方案光子隨機效應光子數量少（≈20個/曝光點）開發高靈敏度金屬氧化物膠（靈敏度<15mJ/cm2）線邊緣粗糙度分子聚集不均分子玻璃膠（分子量分布PDI<1.1）碳污染有機膠碳化污染反射鏡無機金屬氧化物膠（含Sn/Hf）全球競速格局日本JSR：2023年推出EUV LER≤1.7nm的分子玻璃膠，用于臺積電2nm試產；美國英特爾：投資Metal Resist公司開發氧化錫膠，靈敏度達12mJ/cm2；中國進展：中科院化學所環烯烴共聚物膠完成實驗室驗證（LER 3.5nm）；南大光電啟動EUV膠中試產線（2025年目標量產）。未來趨勢：2024年ASML High-NA EUV光刻機量產，將推動光刻膠向10mJ/cm2靈敏度+1nm LER演進。前烘（Pre-Bake）和后烘（Post-Bake）工藝可去除溶劑并穩定膠膜結構。珠海阻焊油墨光刻膠國產廠商

《中國光刻膠破局之路：從g線到ArF的攻堅戰》國產化現狀類型國產化率**企業技術進展g/i線45%晶瑞電材、北京科華0.35μm成熟KrF15%上海新陽28nm驗證中ArF<1%南大光電55nm小批量供貨EUV0彤程新材研發中實驗室階段**壁壘樹脂合成：ArF用丙烯酸樹脂分子量分布（PDI<1.1）控制難。PAG純度：光酸劑金屬雜質需<5ppb，純化技術受*****。缺陷檢測：需0.1nm級缺陷檢出設備（日立獨占）。突破路徑產學研協同：中科院+企業共建ArF單體中試線。產業鏈整合：自建高純試劑廠（如濱化電子級TMAH）。政策扶持：國家大基金二期定向注資光刻膠項目。廈門厚膜光刻膠供應商EUV光刻膠單價高昂，少數企業具備量產能力，如三星、臺積電已實現規模化應用。

光刻膠在平板顯示制造中的應用顯示面板制造中的光刻工藝（TFT陣列、彩色濾光片、觸摸屏電極）。與半導體光刻膠的差異（通常面積更大、分辨率要求相對較低、對均勻性要求極高）。彩色光刻膠：組成、工作原理（顏料分散）。黑色矩陣光刻膠。透明電極（ITO）蝕刻用光刻膠。厚膜光刻膠在間隔物等結構中的應用。大尺寸面板涂布均勻性的挑戰。光刻膠與刻蝕選擇比的重要性什么是選擇比？為什么它對圖形轉移至關重要？光刻膠作為刻蝕掩模的作用原理。不同刻蝕工藝（干法蝕刻-等離子體， 濕法蝕刻）對光刻膠選擇比的要求。影響選擇比的因素：光刻膠的化學成分、交聯密度、刻蝕氣體/溶液。高選擇比光刻膠的優勢（保護下層、獲得垂直側壁、減少膠損失）。在先進節點和高深寬比結構中，選擇比的挑戰與解決方案（硬掩模策略）

《光刻膠的“天敵”：污染控制與晶圓潔凈度》**內容： 強調光刻膠對顆粒、金屬離子、有機物等污染物極其敏感。擴展點： 污染物來源、對光刻工藝的危害（缺陷、CD偏移、可靠性問題）、生產環境（潔凈室等級）、材料純化的重要性。《光刻膠的“保質期”：穩定性與存儲挑戰》**內容： 討論光刻膠在存儲和使用過程中的穩定性問題（粘度變化、組分沉淀、性能衰減）。擴展點： 影響因素（溫度、光照、時間）、如何通過配方設計（穩定劑）、包裝（避光、惰性氣體填充）、冷鏈運輸和儲存條件來保障性能。顯影環節使用堿性溶液（如TMAH）溶解曝光后的光刻膠，形成目標圖形。

《光刻膠：芯片制造的“畫筆”》**作用光刻膠（Photoresist）是半導體光刻工藝的關鍵材料，涂覆于硅片表面，經曝光、顯影形成微細圖形，傳遞至底層實現電路雕刻。其分辨率直接決定芯片制程（如3nm）。工作原理正膠：曝光區域溶解（常用DNQ-酚醛樹脂體系）。負膠：曝光區域交聯固化（環氧基為主）。流程：勻膠→前烘→曝光→后烘→顯影→蝕刻/離子注入。性能指標參數要求（先進制程）分辨率≤13nm（EUV膠）靈敏度≤20mJ/cm2（EUV）線寬粗糙度≤1.5nm抗刻蝕性比硅高5倍以上工程師正優化光刻膠配方，以應對先進制程下的微納加工挑戰。西安阻焊光刻膠價格

光刻膠的線邊緣粗糙度（LER）是影響芯片性能的關鍵因素之一。珠海阻焊油墨光刻膠國產廠商

光刻膠原材料：樹脂、PAG、溶劑與添加劑樹脂： 主要成分，決定基本機械化學性能。不同類型膠的樹脂特點（酚醛樹脂-i-line， 丙烯酸/環烯烴共聚物-ArF， 特殊聚合物-EUV）。光敏劑/光酸產生劑： 吸收光能并引發反應的**。不同類型PAG的結構、效率、擴散特性比較。溶劑： 溶解樹脂等組分形成液態膠。常用溶劑（PGMEA， PGME, EL, CyHO等）及其選擇依據（溶解力、揮發性、安全性）。添加劑：淬滅劑： 控制酸擴散，改善LER/LWR。表面活性劑： 改善涂布均勻性、減少缺陷。染料： 控制光吸收/反射。穩定劑： 提高儲存壽命。原材料純度對光刻膠性能的極端重要性。珠海阻焊油墨光刻膠國產廠商