皮秒激光精密微孔加工應(yīng)用作為一種激光精密加工技術(shù)，皮秒激光在對(duì)高硬度金屬微孔加工方面的應(yīng)用早在20世紀(jì)90年代初就有報(bào)道。1996年德國學(xué)者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機(jī)理，并在真空靶室中對(duì)厚度100μm的不銹鋼進(jìn)行了打孔實(shí)驗(yàn)，建立了激光微納加工的理論模型，為后續(xù)的激光微納加工實(shí)驗(yàn)研究奠定了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。1998年Jandeleit等對(duì)厚度為250nm的銅膜進(jìn)行了精密制孔實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)指出使用同一脈寬的皮秒激光器對(duì)厚度較薄的金屬材料制孔時(shí)，采用高峰值功率更有可能獲得高質(zhì)量的的制孔效果。然而，優(yōu)異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率，制孔方式也是一個(gè)至關(guān)重要的因素，針對(duì)這一問題，F(xiàn)ohl等采用納秒激光與飛秒激光對(duì)制孔方式進(jìn)行了深入研究，實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示納秒激光采用螺旋制孔方式所加工的微孔整潔干凈，而飛秒激光采用一般的沖擊制孔方式所加工的微孔邊緣有明顯的再鑄層。微納加工技術(shù)的特點(diǎn)：多樣化。湖北微納加工器件

隨著微電子、微機(jī)械、微光學(xué)、介入醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的發(fā)展，微型零件的需求量不斷增加。微注射成形作為一種微成型工藝，具有制品材料、幾何形狀和尺寸適應(yīng)性好、成本低、效率高，以及可連續(xù)化、自動(dòng)化生產(chǎn)等一系列優(yōu)點(diǎn)，因此越來越受到人們的重視，成為當(dāng)前研究的熱門課題。1985年，世界上第1臺(tái)專門用于加工微型塑件的注射裝置Micromelt在德國問世，其它國家緊隨其后，先后開發(fā)出了各種不同類型的微注塑成型機(jī)，這為發(fā)展微注塑成型技術(shù)以及實(shí)際生產(chǎn)微小塑件都提供了強(qiáng)有力的支持和較有效的保證，微注塑成型技術(shù)進(jìn)入了發(fā)展的黃金時(shí)期。三門峽微納加工廠家光刻膠是微納加工中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。

目前微納制造領(lǐng)域較常用的一種微細(xì)加工技術(shù)是LIGA。這項(xiàng)技術(shù)由于可加工尺寸小、精度高，適合加工半導(dǎo)體材料，因而在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到普遍的應(yīng)用，其較基礎(chǔ)的中心技術(shù)是光刻，即曝光和刻蝕工藝。隨著LIGA技術(shù)的發(fā)展，人們開發(fā)出了比較多種不同的曝光、刻蝕工藝，以滿足不同精度尺寸、生產(chǎn)效率等的需求。LIGA技術(shù)經(jīng)過多年的發(fā)展，工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟，但是這項(xiàng)技術(shù)的基本原理決定了它必然會(huì)存在的一些缺陷，比如工藝過程復(fù)雜、制備環(huán)境要求高（比如需要凈化間等）、設(shè)備投入大、生產(chǎn)成本高等。

掩模板是根據(jù)放大了的原圖制備的帶有透明窗口的模板。例如，可以用平整的玻璃板，涂覆上金屬鉻薄膜，通過類似照相制版的方法制備而成。具有微納圖形結(jié)構(gòu)的掩模板通常使用電子束光刻機(jī)直接制備，其制作過程就是典型的光刻工藝過程，包括金屬各層沉積、涂膠、電子束光刻、顯影、鉻層腐蝕及去膠等過程。由于模板像素超多，用掃描式光刻機(jī)制作掩模板的速度相當(dāng)慢，造價(jià)十分昂貴。曝光光刻是圖形形成的中心工藝過程，可分為正膠工藝和負(fù)膠工藝，采用相同掩模板制作時(shí)，二者可獲得互補(bǔ)的圖形結(jié)構(gòu)。另外，按照不同工作距離可分為接近式曝光、近貼式曝光（接觸曝光）和投射式光學(xué)曝光；按照曝光系統(tǒng)的工作光源又可分為紫外線曝光、X射線與及紫外線曝光、電子束與離子束曝光。此外，微納印刷技術(shù)（，如納米壓印技術(shù)，在納米結(jié)構(gòu)及器件制作中也得到了良好的發(fā)展，其高效的圖形復(fù)制特點(diǎn)使之在工業(yè)界極具吸引力。卷對(duì)卷滾軸壓印技術(shù)已經(jīng)被產(chǎn)線普遍采用。微納加工平臺(tái)，主要是兩個(gè)方面：微納加工、微納檢測(cè)。

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝?nèi)容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止）并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對(duì)刻蝕接觸點(diǎn)之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。寧波半導(dǎo)體微納加工

提高微納加工技術(shù)的加工能力和效率是未來微納結(jié)構(gòu)及器件研究的重點(diǎn)方向。湖北微納加工器件

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法，其含義是：在一個(gè)單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學(xué)沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都廣用于微納制作工藝中。湖北微納加工器件