晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數也出現了新的數據特點。MEMS制造工藝是下至納米尺度，上至毫米尺度微結構加工工藝的通稱。廣東新型半導體器件加工平臺

在MEMS制程中，刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，在光刻的基礎上有選擇地進行圖形的轉移。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；以FATRIUTC為例，在MEMS制造中的ICP刻蝕機主要用來刻蝕Si、Si3N4、SiO2等。濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕；以FATRIUTC的MEMS制程為例，在濕法槽進行濕法刻蝕的對象有SiO2、Si3N4、金屬、光刻膠等，晶圓作業中的清洗步驟也需在濕法槽中進行。安徽半導體器件加工好處晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。

熱處理是簡單地將晶圓加熱和冷卻來達到特定結果的工藝。在熱處理的過程中，晶圓上沒有增加或減去任何物質，另外會有一些污染物和水汽從晶圓上蒸發。在離子注入工藝后會有一步重要的熱處理。摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會被熱處理修復，這稱為退火，溫度一般在1000℃左右。另外，金屬導線在晶圓上制成后會有一步熱處理。這些導線在電路的各個器件之間承載電流。為了確保良好的導電性，金屬會在450℃熱處理后與晶圓表面緊密熔合。熱處理的第三種用途是通過加熱在晶圓表面的光刻膠將溶劑蒸發掉，從而得到精確的圖形。

氧化爐為半導體材料進氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體設計預期的氧化處理，是半導體加工過程不可或缺的一個環節。退火爐是半導體器件制造中使用的一種工藝設備，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激發摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。從硅圓片制成一個一個的半導體器件，按大工序可分為前道工藝和后道工藝。

硅片在進入每道工序之前表面必須是潔凈的，需經過重復多次的清洗步驟，除去表面的污染物。芯片制造需要在無塵室中進行，在芯片的制造過程中，任何的沾污現象都將影響芯片上器件的正常功能。沾污雜質具體指半導體制造過程中引入的任何危害芯片成品率以及電學性能的物質。具體的沾污物包括顆粒、有機物、金屬和自然氧化層等，此類污染物包括從環境、其他制造工藝、刻蝕副產物、研磨液等。上述沾污雜質如果不及時清理均可能導致后續工藝的失敗，導致電學失效，較終會造成芯片報廢。清洗是晶圓加工制造過程中的重要一環。生物芯片半導體器件加工方案

晶片清洗過程是在不改變或損害晶片表面或基底除去的化學和顆粒雜質。廣東新型半導體器件加工平臺

半導體器件的生產，除需要超凈的環境外，有些工序還必須在真空中進行。在我們生活的大氣環境中，充滿了大量的氮氣、氧氣和其他各種氣體分子，這些氣體分子時時刻刻都在運動著。當這些氣體分子運動到物體的表面時，就會有一部分黏附在該物體的表面。這在日常生活中，不會產生多大的影響。但在對周圍環境要求極高的半導體器件的生產工序中，這些細微的變化就會給生產帶來各種麻煩。每一半導體器件都包含著許多層各種各樣的材料，如果在這些不同的材料層之間混入氣體分子，就會破壞器件的電學或光學性能。比如，當希望在晶體層上再生長一層晶體時(稱為外延），底層晶體表面吸附的氣體分子，會阻礙上面的原子按照晶格結構進行有序排列，結果在外延層中引入大量缺陷，嚴重時，甚至長不出晶體，而只能得到原子排列雜亂無章的多晶或非晶體。廣東新型半導體器件加工平臺

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