隨著工業的需求和表面技術的發展，新型磁控濺射如高速濺射、自濺射等成為磁控濺射領域新的發展趨勢。高速濺射能夠得到大約幾個μm/min的高速率沉積，可以縮短濺射鍍膜的時間，提高工業生產的效率；有可能替代對環境有污染的電鍍工藝。當濺射率非常高，以至于在完全沒有惰性氣體的情況下也能維持放電，即是只用離化的被濺射材料的蒸汽來維持放電，這種磁控濺射被稱為自濺射。被濺射材料的離子化以及減少甚至取消惰性氣體，會明顯地影響薄膜形成的機制，加強沉積薄膜過程中合金化和化合物形成中的化學反應。由此可能制備出新的薄膜材料，發展新的濺射技術，例如在深孔底部自濺射沉積薄膜。磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率。廣州磁控濺射處理

真空磁控濺射鍍膜技術的特點：1、基片溫度低：可利用陽極導走放電時產生的電子，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕：磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低。因此，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動，也可提高靶材利用率。云南多層磁控濺射優點磁控濺射技術得以普遍的應用,是由該技術有別于其它鍍膜方法的特點所決定的。

磁控濺射鍍膜常見領域應用：1.一些不適合化學氣相沉積(MOCVD)的材料可以通過磁控濺射沉積，這種方法可以獲得均勻的大面積薄膜。2.機械工業：如表面功能膜、超硬膜、自潤滑膜等.這些膜能有效提高表面硬度、復合韌性、耐磨性和高溫化學穩定性，從而大幅度提高產品的使用壽命.3.光領域：閉場非平衡磁控濺射技術也已應用于光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導電玻璃.特別是，透明導電玻璃普遍應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波和射頻屏蔽器件和器件、傳感器等。

平衡磁控濺射即傳統的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環磁場強度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。沉積室充入一定量的工作氣體，通常為Ar，在高壓作用下Ar原了電離成為Ar+離子和電子，產生輝光放電，Ar+離子經電場加速轟擊靶材，濺射出靶材原子、離子和二次電子等。電子在相互垂直的電磁場的作用下，以擺線方式運動，被束縛在靶材表面，延長了其在等離子體中的運動軌跡，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過程，電離出更多的離子，提高了氣體的離化率，在較低的氣體壓力下也可維持放電，因而磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力，也同時提高了濺射的效率和沉積速率。磁控濺射的優點：基板有低溫性。相對于二級濺射和熱蒸發來說，磁控濺射加熱少。

磁控濺射是物相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀70年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。河北射頻磁控濺射流程

磁控濺射設備的主要用途：裝飾領域的應用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。廣州磁控濺射處理

磁控濺射又稱為高速低溫濺射。在磁場約束及增強下的等離子體中的工作氣體離子，在靶陰極電場的加速下，轟擊陰極材料，使材料表面的原子或分子飛離靶面，穿越等離子體區以后在基片表面淀積、遷移較終形成薄膜。與二極濺射相比較，磁控濺射的沉積速率高，基片升溫低，膜層質量好，可重復性好，便于產業化生產。它的發展引起了薄膜制備工藝的巨大變革。磁控濺射源在結構上必須具備兩個基本條件:(1)建立與電場垂直的磁場;(2)磁場方向與陰極表面平行，并組成環形磁場。廣州磁控濺射處理

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