PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進入在反應腔體，在射頻源的左右下，氣體被電離成活性基團。活性基團進行化學反應，在低溫（300攝氏度左右）生長氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導體器件的絕緣層，可有效的進行絕緣。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程，薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內，提高硅烷與笑氣的比例，可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時候，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率，當RF增加到一定值后，沉積速率隨RF增大而減少，然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下，沉積速率隨腔體壓力增大而增大。PECVD在低溫范圍內（200-350℃），沉積速率會隨著基片溫度的升高而略微下降，但不是太明顯。在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。來料真空鍍膜廠家

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜、硬質薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業領域應用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體，從表面射出，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，提高了沉積速率。來料真空鍍膜廠家真空鍍膜離子鍍中不同的蒸發源與不同的電離或激發方式可以有多種不同的組合。

真空鍍膜：電子束蒸發可以蒸發高熔點材料，比起一般的電阻加熱蒸發熱效率高、束流密度大、蒸發速度快，制成的薄膜純度高、質量好，厚度可以較準確地控制，可以普遍應用于制備高純薄膜和導電玻璃等各種光學材料薄膜。電子束蒸發的特點是不會或很少覆蓋在目標三維結構的兩側，通常只會沉積在目標表面。這是電子束蒸發和濺射的區別。常見于半導體科研工業領域。利用加速后的電子能量打擊材料標靶，使材料標靶蒸發升騰。較終沉積到目標上。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：活性反應蒸鍍法(ABE)。利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品。空心陰極離子鍍(HCD)。利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品。真空濺射鍍是真空鍍膜技術的一種。

原子層沉積技術和其他薄膜制備技術。與傳統的薄膜制備技術相比，原子層沉積技術優勢明顯。傳統的溶液化學方法以及濺射或蒸鍍等物理方法（PVD）由于缺乏表面控制性或存在濺射陰影區，不適于在三維復雜結構襯底表面進行沉積制膜。化學氣相沉積（CVD）方法需對前驅體擴散以及反應室溫度均勻性嚴格控制，難以滿足薄膜均勻性和薄厚精確控制的要求。相比之下，原子層沉積技術基于表面自限制、自飽和吸附反應，具有表面控制性，所制備薄膜具有優異的三維共形性、大面積的均勻性等特點，適應于復雜高深寬比襯底表面沉積制膜，同時還能保證精確的亞單層膜厚控制。因此，原子層沉積技術在微電子、能源、信息等領域得到應用。真空鍍膜有蒸發鍍膜形式。來料真空鍍膜廠家

真空鍍膜是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。來料真空鍍膜廠家

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發基礎上發展起來的一種輔助鍍膜方法。當膜料蒸發時，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊，通過動量轉移，使淀積粒子獲得較大動能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加，使得薄膜生長發生了根本變化，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源。霍爾離子源是近年發展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極，陰極在陽極上方發出熱電子，在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高，發散角大，維護容易。來料真空鍍膜廠家