不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長較短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此較早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發光化學反應、提高光刻分別率。光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節參數。激光直寫光刻工藝

光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業、LED及平板顯示行業的快速發展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時，國內光刻膠企業積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇，發展光刻膠業務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競爭力的本土企業。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經有一批光刻膠企業陸續實現了技術突破。遼寧光刻廠商正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝。

光刻膠要有極好的穩定性和一致性，如果質量稍微出點問題，損失將會是巨大的。去年2月，某半導體代工企業因為光刻膠的原因導致晶圓污染，報廢十萬片晶圓，直接導致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外，另一個重要原因是，經過幾十年的發展，光刻膠已經是一個相當成熟且固化的產業。2010年光刻膠的**出現井噴，2013年之后，相關專利的申請已經開始銳減。市場較小，技術壁壘又高，這意味著對于企業來說，發展光刻膠性價比不高，即便研發成功一款光刻膠，也要面臨較長的認證周期，需要與下游企業建立合作關系。

根據曝光方式的不同，光刻機主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應，缺點是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，因為光刻版與襯底沒有接觸，缺陷減少，優點是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點是分辨率低，存在衍射效應。投影式曝光，一般光學系統將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對準后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個圖形后，硅片移動到下一個曝光位置繼續對準曝光，這種曝光方式分辨率比較高，但不產生缺陷。光刻版就是在蘇打材料通過光刻、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形。

敏感度決定了光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續刻蝕或離子注入工藝中，不被刻蝕或抗擊離子轟擊，從而保護被覆蓋的襯底。光刻膠依據不同的產品標準進行分類：按照化學反應和顯影的原理，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反，稱為負性光刻膠；如果顯影時曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相同，稱為正性光刻膠。根據感光樹脂的化學結構來分類，光刻膠可以分為光聚合型、光分解型和光交聯型三種類別。光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一。吉林硅片光刻

接觸式曝光和非接觸式曝光的區別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。激光直寫光刻工藝

電子元器件是構成電子信息系統的基本功能單元，是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統稱，同時還涵蓋與上述電子元器件結構與性能密切相關的封裝外殼、電子功能材料等。中國微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務行業協會秘書長古群表示 5G 時代下微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產業面臨的機遇與挑戰。認為，在當前不穩定的國際貿易關系局勢下，通過 2018—2019 年中國電子元件行業發展情況可以看到，被美國加征關稅的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產品的出口額占電子元件出口總額的比重只有 10％。根據近幾年的數據顯示，中國已然成為世界極大的電子元器件市場，每年的進口額高達2300多億美元，超過石油進口金額。但是根本的痛點仍然沒有得到解決——眾多的****企業，資歷不深缺少金錢，缺乏人才，渠道和供應鏈也是缺少，而其中困惱還是忠實用戶的數量。當前國內微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務行業發展迅速，我國 5G 產業發展已走在世界前列，但在整體產業鏈布局方面，我國企業主要處于產業鏈的中下游。在產業鏈上游，尤其是微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務和器件等重點環節，技術和產業發展水平遠遠落后于國外。激光直寫光刻工藝

廣東省半導體所，2016-04-07正式啟動，成立了微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等幾大市場布局，應對行業變化，順應市場趨勢發展，在創新中尋求突破，進而提升芯辰實驗室,微納加工的市場競爭力，把握市場機遇，推動電子元器件產業的進步。廣東省半導體所經營業績遍布國內諸多地區地區，業務布局涵蓋微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等板塊。同時，企業針對用戶，在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等幾大領域，提供更多、更豐富的電子元器件產品，進一步為全國更多單位和企業提供更具針對性的電子元器件服務。公司坐落于長興路363號，業務覆蓋于全國多個省市和地區。持續多年業務創收，進一步為當地經濟、社會協調發展做出了貢獻。