光聚合型，可形成正性光刻膠，是通過采用了烯類單體，在光作用下生成自由基從而進一步引發單體聚合，較后生成聚合物的過程；光分解型光刻膠可以制成正性膠，通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經過光照后,發生光分解反應的過程。光交聯型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負性光刻膠。按照應用領域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠表示著光刻膠技術較先進水平。接觸式光刻機，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應。湖南微納光刻

光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的中心材料。按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產工藝流程基本一致，區別在于主要原材料不同。按照化學結構分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯型和化學放大型。湖南微納光刻光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。

光刻膠國產代替是中國半導體產業的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產業。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”，是國產代替重要環節，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的中心工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配。現在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學院半導體研究所。

光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，較后生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經光照后,發生光分解反應，可以制成正性光刻膠；光交聯型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。動態噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學院半導體研究所。決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數：光刻膠的黏度，黏度越低，光刻膠的厚度越薄。

光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業、LED及平板顯示行業的快速發展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時，國內光刻膠企業積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇，發展光刻膠業務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競爭力的本土企業。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經有一批光刻膠企業陸續實現了技術突破。廣東省科學院半導體研究所。光刻技術是借用照相技術、平板印刷技術的基礎上發展起來的半導體關鍵工藝技術。湖南微納光刻

光刻機又被稱為：掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等。湖南微納光刻

對于國產光刻膠來說，今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日，發改委聯合工信部、科技部、財政部共同發布了《關于擴大戰略性新興產業投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》，《意見》提出，加快新材料產業強弱項，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域實現突破。而在《意見》還未發布之前，部分企業已經聞聲先動了。除了幾家企業加大投資、研發國產光刻膠之外，還有兩家企業通過購買光刻機的方式，開展光刻膠的研發。光刻膠產業，尤其是較優光刻膠一直是日本企業所把持，這已不是什么鮮為人知的信息了。湖南微納光刻

廣東省科學院半導體研究所是以提供微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務為主的****，廣東省半導體所是我國電子元器件技術的研究和標準制定的重要參與者和貢獻者。廣東省半導體所以微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務為主業，服務于電子元器件等領域，為全國客戶提供先進微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務。將憑借高精尖的系列產品與解決方案，加速推進全國電子元器件產品競爭力的發展。