光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮氣保護）目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變為憎水性，增強表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。光刻膠是由光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑組成。重慶紫外光刻

不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長較短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此較早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發光化學反應、提高光刻分別率。佛山光刻服務價格光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產設備有較高的要求，且生產環境需要進行無塵或微塵處理。制備較優微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質量。因此，光刻膠等微電子化學品生產在安全生產、環保設備、生產工藝系統、過程控制體系以及研發投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業就難以在設備、研發和技術服務上取得競爭優勢，以提升可持續發展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業具備較高的資金壁壘。

光刻技術是集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。光刻技術是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學反應；再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上；較后利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上。常用的光刻機是掩模對準光刻，所以它被稱為掩模對準系統。

光刻膠要有極好的穩定性和一致性，如果質量稍微出點問題，損失將會是巨大的。去年2月，某半導體代工企業因為光刻膠的原因導致晶圓污染，報廢十萬片晶圓，直接導致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外，另一個重要原因是，經過幾十年的發展，光刻膠已經是一個相當成熟且固化的產業。2010年光刻膠的**出現井噴，2013年之后，相關專利的申請已經開始銳減。市場較小，技術壁壘又高，這意味著對于企業來說，發展光刻膠性價比不高，即便研發成功一款光刻膠，也要面臨較長的認證周期，需要與下游企業建立合作關系。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。湖北光刻服務價格

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光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業與化工行業交叉的領域，是典型的技術密集行業。從事微電子化學品業務需要具備與電子產業前沿發展相匹配的關鍵生產技術，如混配技術、分離技術、純化技術以及與生產過程相配套的分析檢驗技術、環境處理與監測技術等。同時，下游電子產業多樣化的使用場景要求微電子化學品生產企業有較強的配套能力，以及時研發和改進產品工藝來滿足客戶的個性化需求。光刻膠的生產工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕1000級的黃光區潔凈房進行混合，在氮氣氣體保護下充分攪拌，使其充分混合形成均相液體，經過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗，使其達到工藝技術和質量要求，較后做產品檢驗，合格后在氮氣氣體保護下包裝、打標、入庫。重慶紫外光刻

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