介質薄膜是重要的半導體薄膜之一。它可用作電路間的絕緣層，掩蔽半導體主要元件的相互擴散和漏電現象，從而進一步改善半導體操作性能的可靠性；它還可用作保護膜，在半導體制程的環節生成保護膜，保護芯片不受外部沖擊；或用作隔離膜，在堆疊一層層元件后進行刻蝕時，防止無需移除的部分被刻蝕。淺槽隔離（STI，ShallowTrenchIsolation）和金屬層間電介質層（就是典型的例子。沉積材料主要有二氧化硅（SiO2），碳化硅（SiC）和氮化硅（SiN）等。鍍膜層可賦予材料特定的顏色效果。廣東真空鍍膜涂料

使用PECVD，高能電子可以將氣體分子激發到足夠活躍的狀態，使得在相對低溫下就能發生化學反應。這對于敏感于高溫或者不能承受高溫處理的材料（如塑料）來說是一個重要的優勢。等離子體中的反應物質具有很高的動能，可以使得它們在各種表面，包括垂直和傾斜的表面上發生化學反應。這就使得PECVD可以在基板的全范圍內，包括難以接觸的區域，形成高質量的薄膜。在PECVD過程中，射頻能量引發原料氣體形成等離子體。這個等離子體由高能電子和離子組成，它們能夠在各種表面進行化學反應。這就使得反應物質能夠均勻地分布在整個基板上，從而形成均勻的薄膜。且PECVD可以在相對低溫下進行，因此基板上的熱效應對薄膜的形成影響較小。這進一步有助于保持薄膜的均勻性。廣東真空鍍膜涂料鍍膜技術可用于提升產品的抗老化性能。

反應濺射是在濺射鍍膜中，引入某些活性反應氣體與濺射成不同于靶材的化合物薄膜。反應氣體有Ｏ2、Ｎ2、ＣＨ4等。反應濺射的靶材可以是純金屬，也可以是化合物，反應濺射也可采用磁控濺射。如氮化鋁薄膜可以采用磁控濺射鋁靶材，氣體通入一比一的氬氣和氮氣，反應濺射的優點是比直接濺射氮化鋁靶材時間更快。磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應氣體，能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調整，薄膜內組分也能相應調整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。

涂敷在透明光學元件表面、用來消除或減弱反射光以達增透目的的光學薄膜。又稱增透膜。簡單的減反射膜是單層介質膜，其折射率一般介于空氣折射率和光學元件折射率之間，使用普遍的介質膜材料為氟化鎂。減反射膜的工作原理是基于薄膜干涉原理。入射光在介質膜兩表面反射后得兩束相干光，選擇折射率適當的介質膜材料，可使兩束相干光的振幅接近相等，再控制薄膜厚度，使兩相干光的光程差滿足干涉極小條件，此時反射光能量將完全消除或減弱。反射能量的大小是由光波在介質膜表面的邊界條件確定，適當條件下可完全沒有反射光或只有很弱的反射光。
鍍膜技術可用于制造高性能傳感器。

影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒。聚酰亞胺PI也可作為層間介質應用，具有優異的電絕緣性、耐輻照性能、機械性能等特性。中山真空鍍膜涂料

薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結構不完整性(雜質、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態的存在等。廣東真空鍍膜涂料

鍍膜機中的電子束加熱的方法與傳統的電阻加熱的方法相比較的話。電子束加熱會產生更高的通量密度，這樣的話對于高熔點的材料的蒸發比較有利，而且還可以使的蒸發的速率得到一定程度上的提高。蒸發鍍膜機在工作的時候會將需要被蒸發的原材料放入到水冷銅坩堝內，這樣就可以保證材料避免被污染，可以制造純度比較高的薄膜，電子束蒸發的粒子動能比較的大，這樣會有利于薄膜的精密性和結合力。電子束蒸發鍍膜機的整體的構造比較的復雜，價格相較于其他的鍍膜設備而言比較的偏高。鍍膜機在工作的時候，如果蒸發源附近的蒸汽的密度比較高的話，就會使得電子束流和蒸汽粒子之間發生一些相互的作用，將會對電子的通量產生影響，使得電子的通量散失或者偏移軌道。同時你還可能會引發蒸汽和殘余的氣體的激發和電離，以此影響到整個薄膜的質量。廣東真空鍍膜涂料