電子束曝光顛覆傳統制冷模式，在半導體制冷片構筑量子熱橋結構。納米級界面聲子工程使熱電轉換效率提升三倍，120W/cm2熱流密度下維持芯片38℃恒溫。在量子計算機低溫系統中替代液氦制冷，冷卻能耗降低90%。模塊化設計支持三維堆疊，為10kW級數據中心機柜提供零噪音散熱方案。電子束曝光助力深空通信升級，為衛星激光網絡制造亞波長光學器件。8級菲涅爾透鏡集成波前矯正功能，50000公里距離光斑擴散小于1米。在北斗四號星間鏈路系統中，數據傳輸速率達100Gbps，誤碼率小于10?1?。智能熱補償機制消除太空溫差影響，保障十年在軌無性能衰減。電子束曝光推動仿生視覺芯片的神經形態感光結構精密制造。重慶光掩模電子束曝光加工廠

研究所將電子束曝光技術應用于 IGZO 薄膜晶體管的溝道圖形制備中，探索其在新型顯示器件領域的應用潛力。IGZO 材料對曝光過程中的電子束損傷較為敏感，科研團隊通過控制曝光劑量與掃描方式，減少電子束與材料的相互作用對薄膜性能的影響。利用器件測試平臺，對比不同曝光參數下晶體管的電學性能，發現優化后的曝光工藝能使器件的開關比提升一定幅度，閾值電壓穩定性也有所改善。這項應用探索不僅拓展了電子束曝光的技術場景，也為新型顯示器件的高精度制備提供了技術支持。湖北T型柵電子束曝光實驗室該所微納加工平臺的電子束曝光設備可實現亞微米級圖形加工。

針對柔性襯底上的電子束曝光技術，研究所開展了適應性研究。柔性半導體器件的襯底通常具有一定的柔韌性，可能影響曝光過程中的晶圓平整度，科研團隊通過改進晶圓夾持裝置，減少柔性襯底在曝光時的變形。同時，調整電子束的掃描速度與聚焦方式，適應柔性襯底表面可能存在的微小起伏，在聚酰亞胺襯底上實現了微米級圖形的穩定制備。這項研究拓展了電子束曝光技術的應用場景，為柔性電子器件的高精度制造提供了技術支持。科研團隊在電子束曝光的缺陷檢測與修復技術上取得進展。曝光過程中可能出現的圖形斷線、短路等缺陷，會影響器件性能，團隊利用自動光學檢測系統對曝光后的圖形進行快速掃描，識別缺陷位置與類型。

在電子束曝光與材料外延生長的協同研究中，科研團隊探索了先曝光后外延的工藝路線。針對特定氮化物半導體器件的需求，團隊在襯底上通過電子束曝光制備圖形化掩模，再利用材料外延平臺進行選擇性外延生長，實現了具有特定形貌的半導體 nanostructure。研究發現，曝光圖形的尺寸與間距會影響外延材料的晶體質量，通過調整曝光參數可調控外延層的生長速率與形貌，目前已在納米線陣列的制備中獲得了較為均勻的結構分布。研究所針對電子束曝光在大面積晶圓上的均勻性問題開展研究。由于電子束在掃描過程中可能出現能量衰減，6 英寸晶圓邊緣的圖形質量有時會與中心區域存在差異，科研團隊通過分區校準曝光劑量的方式，改善了晶圓面內的曝光均勻性。電子束曝光為植入式醫療電子提供長效生物界面封裝。

電子束曝光推動再生醫學跨越式發展，在生物支架構建人工血管網。梯度孔徑設計模擬真實血管分叉結構，促血管內皮細胞定向生長。在3D打印兔骨缺損模型中，兩周實現血管網絡重建，骨愈合速度加快兩倍。智能藥物緩釋單元實現生長因子精確投遞，為再造提供技術平臺。電子束曝光實現磁場探測靈敏度，為超導量子干涉器設計納米線圈。原子級平整約瑟夫森結界面保障磁通量子高效隧穿，腦磁圖分辨率達0.01pT。在帕金森病研究中實現黑質區異常放電毫秒級追蹤，神經外科手術導航精度提升至50微米。移動式檢測頭盔突破傳統設備限制，癲癇病灶定位準確率99.6%。電子束曝光為微振動檢測系統提供超高靈敏度納米機械諧振結構。江蘇高分辨電子束曝光加工工廠

電子束曝光實現核電池放射源超高安全性的空間封裝結構。重慶光掩模電子束曝光加工廠

科研人員將機器學習算法引入電子束曝光的參數優化中，提高工藝開發效率。通過采集大量曝光參數與圖形質量的關聯數據，訓練參數預測模型，該模型可根據目標圖形尺寸推薦合適的曝光劑量與加速電壓，減少實驗試錯次數。在實際應用中，模型推薦的參數組合使新型圖形的開發周期縮短了一定時間，同時保證了圖形精度符合設計要求。這種智能化的工藝優化方法，為電子束曝光技術的快速迭代提供了新工具。研究所利用其作為中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會倚靠單位的優勢，與行業內行家合作開展電子束曝光技術的標準化研究。重慶光掩模電子束曝光加工廠