科研團隊探索電子束曝光與化學機械拋光技術的協同應用，用于制備全局平坦化的多層結構。多層器件在制備過程中易出現表面起伏，影響后續曝光精度，團隊通過電子束曝光定義拋光阻擋層圖形，結合化學機械拋光實現局部區域的精細平坦化。對比傳統拋光方法，該技術能使多層結構的表面粗糙度降低一定比例，為后續曝光工藝提供更平整的基底。在三維集成器件的研究中，這種協同工藝有效提升了層間對準精度，為高密度集成器件的制備開辟了新路徑，體現了多工藝融合的技術創新思路。電子束曝光在半導體領域主導光罩精密制作及第三代半導體器件的亞納米級結構加工。納米器件電子束曝光技術

量子點顯示技術借力電子束曝光突破色彩轉換瓶頸。在InGaN藍光晶圓表面構建光學校準微腔，精細調控量子點受激輻射波長。多層抗蝕劑工藝形成倒金字塔反射結構，使紅綠量子點光轉化效率突破95%。色彩一致性控制達DeltaE<0.5，支持全色域顯示無差異。在元宇宙虛擬現實裝備中，該技術實現20000nit峰值亮度下的像素級控光，動態對比度突破10?:1，消除動態模糊偽影。電子束曝光在人工光合系統實現光能-化學能定向轉化。通過多級分形流道設計優化二氧化碳傳輸路徑，在二氧化鈦光催化層表面構建納米錐陣列陷阱結構。特殊的雙曲等離激元共振結構使可見光吸收譜拓寬至800nm，太陽能轉化效率達2.3%。工業級測試顯示，每平方米反應器日合成甲酸量達15升，轉化選擇性>99%。該技術將加速碳中和技術落地，在沙漠地區建立分布式能源-化工聯產系統。量子器件電子束曝光技術電子束曝光為超高靈敏磁探測裝置制備微納超導傳感器件。

在電子束曝光與離子注入工藝的結合研究中，科研團隊探索了高精度摻雜區域的制備技術。離子注入的摻雜區域需要與器件圖形精確匹配，團隊通過電子束曝光制備掩模圖形，控制離子注入的區域與深度，研究不同摻雜濃度對器件電學性能的影響。在 IGZO 薄膜晶體管的研究中，優化后的曝光與注入工藝使器件的溝道導電性調控精度得到提升，為器件性能的精細化調節提供了可能。這項研究展示了電子束曝光在半導體摻雜工藝中的關鍵作用。通過匯總不同科研機構的工藝數據，分析電子束曝光關鍵參數的合理范圍，為制定行業標準提供參考。在內部研究中，團隊已建立一套針對第三代半導體材料的

將模擬結果與實際曝光圖形對比，不斷修正模型參數，使模擬預測的線寬與實際結果的偏差縮小到一定范圍。這種理論指導實驗的研究模式，提高了電子束曝光工藝優化的效率與精細度。科研人員探索了電子束曝光與原子層沉積技術的協同應用，用于制備高精度的納米薄膜結構。原子層沉積能實現單原子層精度的薄膜生長，而電子束曝光可定義圖形區域，兩者結合可制備復雜的三維納米結構。團隊通過電子束曝光在襯底上定義圖形，再利用原子層沉積在圖形區域生長功能性薄膜，研究沉積溫度與曝光圖形的匹配性。在氮化物半導體表面制備的納米尺度絕緣層，其厚度均勻性與圖形一致性均達到較高水平，為納米電子器件的制備提供了新方法。電子束曝光的分辨率取決于束斑控制、散射抑制和抗蝕劑性能的綜合優化。

在電子束曝光的三維結構制備研究中，科研團隊探索了灰度曝光技術的應用。灰度曝光通過控制不同區域的電子束劑量，可在抗蝕劑中形成連續變化的高度分布，進而通過刻蝕得到三維微結構。團隊利用該技術在氮化物半導體表面制備了具有漸變折射率的光波導結構，測試結果顯示這種結構能有效降低光傳輸損耗。這項技術突破拓展了電子束曝光在復雜三維器件制備中的應用，為集成光學器件的研發提供了新的工藝選擇。針對電子束曝光在第三代半導體中試中的成本控制問題，科研團隊進行了有益探索。電子束刻合為虛擬現實系統提供高靈敏觸覺傳感器集成方案。吉林T型柵電子束曝光技術

電子束刻蝕推動人工視覺芯片的光電轉換層高效融合。納米器件電子束曝光技術

針對柔性襯底上的電子束曝光技術，研究所開展了適應性研究。柔性半導體器件的襯底通常具有一定的柔韌性，可能影響曝光過程中的晶圓平整度，科研團隊通過改進晶圓夾持裝置，減少柔性襯底在曝光時的變形。同時，調整電子束的掃描速度與聚焦方式，適應柔性襯底表面可能存在的微小起伏，在聚酰亞胺襯底上實現了微米級圖形的穩定制備。這項研究拓展了電子束曝光技術的應用場景，為柔性電子器件的高精度制造提供了技術支持。科研團隊在電子束曝光的缺陷檢測與修復技術上取得進展。曝光過程中可能出現的圖形斷線、短路等缺陷，會影響器件性能，團隊利用自動光學檢測系統對曝光后的圖形進行快速掃描，識別缺陷位置與類型。納米器件電子束曝光技術