大功率激光系統通過離子束刻蝕實現衍射光學元件的性能變化，其多自由度束流控制技術達成波長級加工精度。在國家點火裝置中，該技術成功制造500mm口徑的復雜光柵結構，利用創新性的三軸聯動算法優化激光波前相位。突破性進展在于建立加工形貌實時反饋系統，使高能激光的聚焦精度達到微米量級，為慣性約束聚變提供關鍵光學組件。離子束刻蝕在量子計算領域實現里程碑突破，其低溫協同工藝完美平衡加工精度與量子相干性保護。在超導量子芯片制造中，該技術創新融合束流調控與超真空技術，在150K環境實現約瑟夫森結的原子級界面加工。突破性在于建立量子比特頻率在線監測系統，將量子門保真度提升至99.99%實用水平，為1024位量子處理器工程化掃除關鍵障礙。硅濕法刻蝕相對于干法刻蝕是一種相對簡單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質進行。北京刻蝕公司

深硅刻蝕設備的制程是指深硅刻蝕設備進行深硅刻蝕反應的過程，它包括以下幾個步驟：一是樣品制備，即將待刻蝕的硅片或其他材料片進行清洗、干燥和涂覆光刻膠等操作，以去除表面雜質和保護不需要刻蝕的區域；二是光刻曝光，即將預先設計好的掩模圖案通過紫外光或其他光源照射到光刻膠上，以轉移圖案到光刻膠上；三是光刻顯影，即將曝光后的光刻膠進行顯影處理，以去除多余的光刻膠并留下所需的圖案；四是深硅刻蝕，即將顯影后的樣品放入深硅刻蝕設備中，并設置好工藝參數和控制策略，以進行深硅刻蝕反應；五是后處理，即將深硅刻蝕后的樣品進行清洗、干燥和去除光刻膠等操作，以得到硅結構。北京刻蝕公司干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕。

三五族材料的干法刻蝕工藝需要根據不同的材料類型、結構形式、器件要求等因素進行優化和調節。一般來說，需要考慮以下幾個方面：刻蝕氣體：刻蝕氣體的選擇主要取決于三五族材料的化學性質和刻蝕產物的揮發性。一般來說，對于含有砷、磷、銻等元素的三五族材料，可以選擇氯氣、溴氣、碘氣等鹵素氣體作為刻蝕氣體，因為這些氣體可以與三五族元素形成易揮發的鹵化物；對于含有銦、鎵、鋁等元素的三五族材料，可以選擇氟氣、硫六氟化物、四氟化碳等含氟氣體作為刻蝕氣體，因為這些氣體可以與三五族元素形成易揮發的氟化物。

深硅刻蝕設備在先進封裝中的主要應用之二是SiP技術，該技術是指在一個硅片上集成不同類型或不同功能的芯片或器件，從而實現一個多功能或多模式的系統。SiP技術可以提高系統性能、降低系統成本、縮小系統尺寸和重量。深硅刻蝕設備在SiP技術中主要用于實現不同形狀或不同角度的槽道或凹槽刻蝕，以及后續的器件嵌入和連接等工藝。深硅刻蝕設備在SiP技術中的優勢是可以實現高靈活性、高精度和高效率的刻蝕，以及多種氣體選擇和功能模塊集成。深硅刻蝕設備在微機電系統領域也有著重要的應用，主要用于制造傳感器、執行器等。

三五族材料是指由第三、第五主族元素組成的半導體材料，如GaAs、InP、GaSb等。這些材料具有優異的光電性能，廣泛應用于微波、光電、太赫茲等領域。為了制備高性能的三五族器件，需要對三五族材料進行精密的刻蝕處理，形成所需的結構和圖案。刻蝕是一種通過物理或化學手段去除材料表面或內部的一部分，以改變其形狀或性質的過程。刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩種。濕法刻蝕是指將材料浸入刻蝕液中，利用液體與固體之間的化學反應來去除材料的一種方法。干法刻蝕是指利用高能粒子束（如離子束、等離子體、激光等）與固體之間的物理或化學作用來去除材料的一種方法。電容耦合等離子體刻蝕常用于刻蝕電介質等化學鍵能較大的材料。東莞感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕

離子束刻蝕設備通過創新束流控制技術實現晶圓級原子精度加工。北京刻蝕公司

深硅刻蝕設備在先進封裝中的主要應用之一是TSV技術，該技術是指在硅片或芯片上形成垂直于表面的通孔，并填充金屬或導電材料，從而實現不同層次或不同芯片之間的垂直連接。TSV技術可以提高信號傳輸速度、降低功耗、增加集成度和功能性。深硅刻蝕設備在TSV技術中主要用于實現高縱橫比、高方向性和高選擇性的通孔刻蝕，以及后續的通孔揭露和平整等工藝。深硅刻蝕設備在TSV技術中的優勢是可以實現高速度、高均勻性和高可靠性的刻蝕，以及獨特的終點檢測和控制策略。北京刻蝕公司