第三代為掃描投影式光刻機。中間掩模版上的版圖通過光學透鏡成像在基片表面，有效地提高了成像質量，投影光學透鏡可以是1∶1，但大多數采用精密縮小分步重復曝光的方式（如1∶10，1∶5，1∶4）。IC版圖面積受限于光源面積和光學透鏡成像面積。光學曝光分辨率增強等光刻技術的突破，把光刻技術推進到深亞微米及百納米級。第四代為步進式掃描投影光刻機。以掃描的方式實現曝光，采用193nm的KrF準分子激光光源，分步重復曝光，將芯片的工藝節點提升一個臺階。實現了跨越式發展，將工藝推進至180~130nm。隨著浸入式等光刻技術的發展，光刻推進至幾十納米級。第五代為EUV光刻機。采用波長為13.5nm的激光等離子體光源作為光刻曝光光源。即使其波長是193nm的1/14，幾乎逼近物理學、材料學以及精密制造的極限。光刻膠的固化過程需要精確控制溫度和時間。貴州材料刻蝕加工平臺

濕法腐蝕是利用腐蝕液和基片之間的化學反應。采用這種方法，雖然各向異性刻蝕并非不可能，但比各向同性刻蝕要困難得多。溶液和材料的組合有很多限制，必須嚴格控制基板溫度、溶液濃度、添加量等條件。無論條件調整得多么精細，濕法蝕刻都難以實現1μm以下的精細加工。其原因之一是需要控制側面蝕刻。側蝕是一種也稱為底切的現象。即使希望通過濕式蝕刻在垂直方向（深度方向）溶解材料，也不可能完全防止溶液腐蝕側面，因此材料在平行方向的溶解將不可避免地進行。由于這種現象，濕蝕刻隨機產生比目標寬度窄的部分。這樣，在加工需要精密電流控制的產品時，再現性低，精度不可靠。氮化鎵材料刻蝕代工光刻誤差校正技術明顯提高了芯片制造的良品率。

通過光刻技術制作出的微納結構需進一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結構或元件。刻蝕技術，是按照掩模圖形對襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術，可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成刻蝕的目的。其較重要的優點是能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優點。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術的要求，且在微納加工技術中被大量使用。

速度和加速度是決定勻膠獲得薄膜厚度的關鍵因素。襯底的旋轉速度控制著施加到樹脂上的離心力和樹脂上方空氣的湍流度。襯底由低速向旋轉速度的加速也會極大地影響薄膜的性能。由于樹脂在開始旋轉的幾圈內就開始溶劑揮發過程，因此控制加速階段非常重要這個階段光刻膠會從中心向樣品周圍流動并鋪展開。在許多情況下，光刻膠中高達50%的基礎溶劑會在溶解的幾秒鐘內蒸發掉。因此，使用“快速”工藝技術，在很短的時間內將光刻膠從樣品中心甩到樣品邊緣。在這種加速度驅動材料向襯底邊緣移動，使不均勻的蒸發小化，并克服表面張力以提高均勻性。高速度，高加速步驟后是一個更慢的干燥步驟和/或立即停止到0rpm。光刻技術不斷進化，向著更高集成度和更低功耗邁進。

隨著光刻對準技術的發展，一開始只是作為評價及測試光柵質量的莫爾條紋技術在光刻對準中的應用也得到了更深層的開發。起初，其只能實現較低精度的人工對準，但隨著細光柵衍射理論的發展，利用莫爾條紋相關特性漸漸也可以在諸如納米壓印光刻對準等高精度對準領域得到應用。莫爾條紋是兩條光柵或其他兩個物體之間，當它們以一定的角度和頻率運動時，會產生干涉條紋圖案。當人眼無法看到實際物體而只能看到干涉花紋時，這種光學現象就是莫爾條紋。L.Rayleigh對這個現象做出了解釋，兩個重疊的平行光柵會生成一系列與光柵質量有關的低頻條紋，他的理論指出當兩個周期相等的光柵柵線以一定夾角平行放置時，就會產生莫爾條紋，而周期不相等的兩個光柵柵線夾角為零（柵線也保持平行）平行放置時，也會產生相對于光柵周期放大的條紋。EUV光刻解決了更小特征尺寸的需求。東莞半導體材料刻蝕

實時圖像分析有助于監測光刻過程的質量。貴州材料刻蝕加工平臺

視頻圖像處理對準技術，是指在光刻套刻的過程中，掩模圖樣與硅片基板之間基本上只存在相對旋轉和平移，充分利用這一有利條件，結合機器視覺映射技術，利用相機采集掩模圖樣與硅片基板的對位標記信號。此種方法看上去雖然與雙目顯微鏡對準有些類似，但是實質其實有所不同。場像處理對準技術是通過CCDS攝像對兩個對位標記圖像進行采集、濾波、特征提取等處理，通過圖像處理單元進行精確定位和匹配參數計算，求得掩模圖樣與硅片基板之間的相對旋轉和平移量，然后進行相位補償和平移量補償，自動完成對準的過程。其光源一般是寬帶的鹵素燈，波長在550~800nm。相對于其他的對準方式其具有對準精度高、結構簡單、可操作性強、效率高的優勢。其對準精度誤差主要來自于圖像處理過程。因此，選擇合適的圖像處理算法顯得尤為重要。貴州材料刻蝕加工平臺