杭州博測材料科技有限公司2025-08-08

增加放電電流：提升濺射率（如銅合金中電流從20 mA增至50 mA，Ag檢出限從10 ppm降至1 ppm）； 2. 降低氬氣壓力：延長電子平均自由程，提高電離效率（比較好壓力1–3 Torr）； 3. 冷卻樣品臺（-20°C）：減少熱展寬效應，提高譜峰信噪比。GD-MS：采用雙聚焦磁質譜（分辨率>10,000），分離干擾峰（如??Ar3?Cl?干擾??As?）； GD-OES：使用Echelle光譜儀+ICCD探測器（波長分辨率<0.003 nm），分辨重疊譜線（如Cd 228.8 nm與As 228.8 nm）。反應性氣體摻雜：添加5–10% O?，使易揮發元素（如Hg/Cd）形成氧化物，提升濺射產率； ? 樣品表面鍍膜：濺射前沉積Pt層（5 nm），抑制碳氫污染物干擾痕量S信號。

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