本司北斗芯片新增25Hz位置刷新：動態定位更流暢，高速場景穩如磐石在高速運動場景（如賽車定位、無人機競速、高鐵導航）中，定位數據的刷新速度直接影響終端設備的動態響應能力——刷新頻率越低，定位數據越容易滯后，導致設備“跟不上”運動軌跡。此前，多數定位芯片的位置刷新頻率在1-10Hz，難以滿足高速動態場景的需求。此次升級，芯片新增較大25Hz的位置刷新頻率，意味著每秒可更新25次定位數據，動態定位流暢度實現質的提升。在賽車運動中，25Hz的刷新頻率能實時捕捉車輛的每一個轉向、加速動作，為賽事直播、數據復盤提供準確軌跡；在無人機高速飛行場景中，高頻刷新可確保無人機及時響應操控指令，避免因定位滯后導致的碰撞風險；在高鐵、船舶等高速移動載體上，25Hz的定位數據能讓導航系統實時更新位置，為乘客提供更準確的行程播報，也為載體調度提供更及時的動態數據支持。知碼芯北斗芯片采用RISC-V 結構，融合 ARM 與 MIPS 優勢，讓性能與效率兼得?。福建高效北斗芯片

本司北斗芯片可應用于石油管道巡檢機器人、礦山防爆車等工業特種設備中。巡檢機器人在管道內低速移動時，芯片通過 4 模聯合定位與柱狀天線，可精細記錄機器人位置，結合傳感器數據，判斷管道是否存在泄漏、變形等問題，定位誤差控制在 0.5 米內，提升巡檢精度；礦山防爆車在井下復雜環境作業時，芯片的 SOC 架構避免了分立器件易受粉塵、潮濕影響的問題，穩壓器與溫度補償振蕩器（0.5ppm 精度）可適應井下 - 40℃~85℃的溫度波動，確保定位數據穩定輸出，為礦山調度系統提供可靠位置參考，保障井下作業安全。福建高效北斗芯片知碼芯北斗芯片搭載了軟件平臺，讓資源調度更加輕松。

高動態場景的痛點，知碼芯北斗芯片全解決。高動態場景下，設備運動速度快、姿態變化劇烈，對北斗芯片的 “星座覆蓋廣度、信號跟蹤能力、啟動響應速度” 提出嚴苛要求。傳統芯片信號遮擋時易斷連；通道數量不足（多為 12-24 通道），無法同時跟蹤多顆衛星，定位可靠性差；冷啟動需 30 秒以上，緊急場景下 “慢半拍”；且體積大、集成難，適配小型設備受限。而這款升級后的北斗芯片，通過七大針對性優化，精確解決上述痛點，尤其在 “星座覆蓋、通道跟蹤、啟動速度” 三大維度實現質的飛躍，成為高動態場景的 “定位利器”。

此芯片大幅擴充星座與頻點，實現 “全場景信號覆蓋”：兼容北斗、GPS、GLONASS、Galileo 四大全球導航系統，同時支持 L1（GPS）、B1（北斗）、E1（Galileo）三大頻點，無論在國內還是海外高動態場景，都能快速捕獲多系統衛星信號，避免了單一系統信號弱導致的定位失效；多星座冗余設計，使芯片在高速運動中（如無人機時速 120km/h），可同時接收來自不同系統的衛星信號，抗遮擋能力提升 80%，即使部分衛星信號中斷，仍能通過其他系統衛星維持穩定定位，徹底解決 “信號死角” 問題。

強大競爭力，源于無可替代的性能表現。知碼芯通信北斗芯片將GNSS北斗定位技術與5G通信技術完美融合，不僅實現了毫米級的超高精度定位，更能完成實時數據傳輸與動態監測。無論是自動駕駛車輛的精細路徑規劃、工業設備的遠程狀態監控，還是智能穿戴設備的位置追蹤，它都能以毫秒級響應速度，傳遞精細數據，為行業應用注入高效動能。作為我司自主創新的特種北斗高動態芯片，它在抗干擾性、環境適應性等方面均達到行業頭部水平，從容應對各類復雜工況。從消費電子到工業制造，從智能交通到應急救援，本款北斗藍牙無線通信芯片以強大的適配性和優異的性能，開啟了萬物互聯的全新可能。選擇2301，就是選擇了精細、高效與創新，讓我們攜手以“芯”賦能，共繪智能時代的宏偉藍圖！深入市場調研，知碼芯北斗芯片精確定位客戶需求。

本款北斗芯片的重要價值在于：性能躍升：異質異構設計使得每個主要單元都在更好的狀態工作，帶來更遠的通信距離、更低的誤碼率和更高的靈敏度。尺寸與功耗雙降：超高集成度大幅縮小了方案體積，特別適合對尺寸和重量有嚴苛要求的便攜設備、無人機、物聯網終端等。優化的設計也帶來了更低的功耗，延長了設備續航。開發簡易，加速上市：客戶無需再為復雜的射頻匹配和調試耗費大量精力，使用這款北斗芯片或模組，可以像使用“樂高積木”一樣快速搭建穩定可靠的北斗通信系統，產品上市時間很大程度被縮短。可靠與安全：自有工藝和完整的國內產業鏈，確保了產品的一致性與可靠性，滿足國家關鍵領域對自主可控和信息安全的高要求。知碼芯接收機噪聲系數極低，捕獲靈敏度與跟蹤靈敏度極高。河北高靈敏度北斗芯片

此款北斗芯片各項標指標都位于行業前列，彰顯技術實力。福建高效北斗芯片

知碼芯北斗芯片，低功耗高性能之選。

知碼芯北斗芯片采用了28nmCMOS工藝。在此工藝中，High-K材料和GateLast處理技術的應用，更是為降低功耗立下了汗馬功勞。High-K材料，即高介電常數材料，其介電常數比傳統的二氧化硅（SiO2）高數倍甚至十幾倍。當芯片采用High-K材料作為柵介質層時，就好比給電路中的“蓄水池”（電容）換上了更加厚實的內壁，不容易“滲漏”。這樣一來，在相同的電容值下，能夠有效減少柵極漏電流，降低芯片的靜態功耗。同時，由于電容充放電效率更高，芯片數據讀寫速度也得到提升，這在一定程度上也有助于降低動態功耗。而GateLast處理技術，則是在源漏區離子注入和高溫退火步驟完成之后，再進行柵極的制作。這種工藝順序可以避免金屬柵經歷源漏退火高溫，從而保護金屬柵的功函數和HK層的質量，進一步降低了芯片的功耗。同時，它還有助于控制短通道效應，使得晶體管在尺寸縮小的情況下，依然能夠保持良好的性能。 福建高效北斗芯片

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